| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
二次离子质谱（英語：Secondary Ion Mass Spectroscopy, … 二次离子质谱（英語：Secondary Ion Mass Spectroscopy, SIMS）是用来分析固体表面或者是薄膜的化学成分的技术，其用一束聚焦的离子束溅射待测品表面，并通过检测轰击出的二次离子的荷质比确定距表面深度1-2纳米厚的薄层的元素、同位素与分子的组成。它是用m，Xe等惰性气体电离产生重离子来轰击样品表面，把打出试样的碎片连同轰击时弹射出去的原激发离子一同送入质谱计，进行质量分离与检测，最后得到质谱。它的原理除了采用轰击激发以外，其余与质谱仪完全相同。SIMS一般采用四极质谱计，因为它结构简单，而且体积较小。但是它检测的相对分子质量范围仅限于几千以下。SIMS是一种非常灵敏的表面分析方法，它在有机高分子分析方面的应用近年来获得迅速的发展。现代的综合能谱仪上常附有SIMS的装置。机高分子分析方面的应用近年来获得迅速的发展。现代的综合能谱仪上常附有SIMS的装置。
, Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) i … Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) ist eine Methode der Oberflächenphysik/Oberflächenchemie, mit der die Zusammensetzung einer Probe analysiert werden kann; sie stellt somit eine spezielle Form der Massenspektrometrie dar. Wie Sekundär-Neutralteilchen-Massenspektrometrie (SNMS), Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) und niederenergetische Ionenstreuspektroskopie (LEIS) gehört SIMS zu den Ionenstrahltechniken. Bei der SIMS wird die Probe mit primären Ionen beschossen, die dann die zu analysierenden sekundären Ionen freisetzen.nalysierenden sekundären Ionen freisetzen.
, 二次イオン質量分析法（にじイオンしつりょうぶんせきほう、英: Secondary Ion Mass Spectrometry、略称：SIMS）とは、質量分析法におけるイオン化方法の種類の一つである。特に固体の表面にビーム状のイオン（と呼ばれる）を照射し、そのイオンと固体表面の分子・原子レベルでの衝突によって発生するイオン（と呼ばれる）を質量分析計で検出するである。
, Масс-спектрометрия вторичных ионов (МСВИ) … Масс-спектрометрия вторичных ионов (МСВИ) (англ. Secondary-Ion Mass Spectrometry, SIMS) — метод получения ионов из низколетучих, полярных и термически нестойких соединений в масс-спектрометрии. Первоначально применялся для определения элементного состава низко-летучих веществ, однако впоследствии стал использоваться как десорбционный метод мягкой ионизации органических веществ. Используется для анализа состава твёрдых поверхностей и тонких плёнок. МСВИ — самая чувствительная из техник анализа поверхностей, способная обнаружить присутствие элемента в диапазоне 1 часть на миллиард. элемента в диапазоне 1 часть на миллиард.
, Secondary-ion mass spectrometry (SIMS) é u … Secondary-ion mass spectrometry (SIMS) é uma técnica utilizada para analisar a composição de superfícies sólidas e filmes finos através da aplicação de sputtering na superfície da espécie com um feixe de íon primário, focalizado, coletando e analisando os íons secundários ejetados. A razão massa/carga destes íons secundários é medida com um espectrômetro de massas a fim de determinar as composições elemental, isotópica ou molecular da superfície em profundidades de 1 a 2 nm. Devido à grande variação nas probabilidades de ionização dos diversos materiais, a SIMS é geralmente considerada uma técnica qualitativa; quantificações são possíveis com o uso de referências. SIMS é a técnica de análise mais sensitiva à superfície, com limites de detecção de partes por milhão a partes por bilhão. de partes por milhão a partes por bilhão.
, La spettrometria di massa di ioni secondar … La spettrometria di massa di ioni secondari, indicata comunemente con l'acronimo SIMS, dall'inglese secondary ion mass spectrometry è una tecnica di spettrometria di massa utilizzata per la caratterizzazione di superfici. Consiste nel bombardare il campione con un fascio di ioni (detti ioni primari) ed analizzare gli ioni prodotti dal bombardamento (ioni secondari). La tecnica SIMS garantisce un'altissima sensibilità nel rilevare sostanze presenti in traccia (ppm-ppb) e un'eccellente risoluzione in profondità (3÷10 nm).lente risoluzione in profondità (3÷10 nm).
, La spectrométrie de masse des ions seconda … La spectrométrie de masse des ions secondaires est un procédé d'analyse de surface connu sous le nom de SIMS, d'après l'acronyme anglais signifiant secondary ion mass spectrometry, qui consiste à bombarder la surface de l'échantillon à analyser avec un faisceau d'ions. L'échantillon est alors pulvérisé, et une partie de la matière pulvérisée est ionisée. Ces ions secondaires sont alors accélérés vers un spectromètre de masse qui permettra de mesurer la composition élémentaire, isotopique ou moléculaire de la surface de l'échantillon. Le SIMS est la technique d'analyse de surface la plus sensible, mais présente plus de difficultés dans l'interprétation quantitative précise que d'autres techniques.ntitative précise que d'autres techniques.
, Secondary-ion mass spectrometry (SIMS) is … Secondary-ion mass spectrometry (SIMS) is a technique used to analyze the composition of solid surfaces and thin films by sputtering the surface of the specimen with a focused primary ion beam and collecting and analyzing ejected secondary ions. The mass/charge ratios of these secondary ions are measured with a mass spectrometer to determine the elemental, isotopic, or molecular composition of the surface to a depth of 1 to 2 nm. Due to the large variation in ionization probabilities among elements sputtered from different materials, comparison against well-calibrated standards is necessary to achieve accurate quantitative results. SIMS is the most sensitive surface analysis technique, with elemental detection limits ranging from parts per million to parts per billion.om parts per million to parts per billion.
, Hmotnostní spektrometrie sekundárních iont … Hmotnostní spektrometrie sekundárních iontů, anglicky Secondary ion mass spectrometry, zkráceně SIMS, je technika sloužící k analýze složení povrchů pevných látek a tenkých vrstev pomocí vyprašování povrchu bombardujícími ionty a shromažďováním (analyzováním) vyražených sekundárních iontů. Sekundární ionty emitované z povrchu materiálu pomocí "vyprašovacího" procesu se používají k analýze chemického složení materiálu. Tyto částice však představují jen malý zlomek částic emitovaných ze vzorku. Sekundární ionty se měří hmotnostním spektrometrem určující prvkové, izotopové, nebo molekulární složení povrchu. SIMS je jedna z nejcitlivějších analýz povrchů, která je schopna detekovat prvky, i když jsou přítomny řádově jen v nanometrových oblastech.omny řádově jen v nanometrových oblastech.
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/IMS3F_pbmf.jpg?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageExternalLink
|
http://www.eag.com/mc/sims-theory.html +
, http://www.eaglabs.com/training/tutorials/sims_instrumentation_tutorial/ +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
651485
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
17405
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1074648608
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Paris-Sud_11_University +
, http://dbpedia.org/resource/Microchannel_plate_detector +
, http://dbpedia.org/resource/Thin_film +
, http://dbpedia.org/resource/Materials_science +
, http://dbpedia.org/resource/Ion_beam +
, http://dbpedia.org/resource/Rosetta_%28spacecraft%29 +
, http://dbpedia.org/resource/University_of_M%C3%BCnster +
, http://dbpedia.org/resource/Duoplasmatron +
, http://dbpedia.org/resource/Moon_rock +
, http://dbpedia.org/resource/Sensitive_high-resolution_ion_microprobe +
, http://dbpedia.org/resource/Sulfur_hexafluoride +
, http://dbpedia.org/resource/Xenon +
, http://dbpedia.org/resource/Gold +
, http://dbpedia.org/resource/Fluorescence +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium +
, http://dbpedia.org/resource/Time-of-flight_mass_spectrometry +
, http://dbpedia.org/resource/Cubic_centimetre +
, http://dbpedia.org/resource/Sector_instrument +
, http://dbpedia.org/resource/Sputtering +
, http://dbpedia.org/resource/Noble_gas +
, http://dbpedia.org/resource/Fast_atom_bombardment +
, http://dbpedia.org/resource/Germany +
, http://dbpedia.org/resource/Mass_spectrometry +
, http://dbpedia.org/resource/Indium +
, http://dbpedia.org/resource/Melting_point +
, http://dbpedia.org/resource/Nanosims +
, http://dbpedia.org/resource/Surface_ionization +
, http://dbpedia.org/resource/Cameca +
, http://dbpedia.org/resource/File:SIMS_instrument_scheme_600x600.png +
, http://dbpedia.org/resource/Microprobe +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_analysis +
, http://dbpedia.org/resource/Vacuum_pump +
, http://dbpedia.org/resource/Surface_science +
, http://dbpedia.org/resource/67P/Churyumov%E2%80%93Gerasimenko +
, http://dbpedia.org/resource/CAMECA +
, http://dbpedia.org/resource/Ion_gun +
, http://dbpedia.org/resource/NASA +
, http://dbpedia.org/resource/Torr +
, http://dbpedia.org/resource/University_of_Vienna +
, http://dbpedia.org/resource/Mean_free_path +
, http://dbpedia.org/resource/Wien_filter +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_ionization +
, http://dbpedia.org/resource/Fullerene +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Mass_spectrometry +
, http://dbpedia.org/resource/Pascal_%28unit%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Faraday_cup +
, http://dbpedia.org/resource/Adsorption +
, http://dbpedia.org/resource/Argon +
, http://dbpedia.org/resource/J._J._Thomson +
, http://dbpedia.org/resource/Detection_limit +
, http://dbpedia.org/resource/Static_secondary-ion_mass_spectrometry +
, http://dbpedia.org/resource/Tungsten +
, http://dbpedia.org/resource/Oxygen +
, http://dbpedia.org/resource/Quadrupole_mass_analyzer +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_multiplier +
, http://dbpedia.org/resource/Buckminsterfullerene +
, http://dbpedia.org/resource/Bismuth +
, http://dbpedia.org/resource/Liquid_metal_ion_source +
, http://dbpedia.org/resource/Bar_%28unit%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Vacuum +
, http://dbpedia.org/resource/Canberra%2C_Australia +
|
| http://dbpedia.org/property/acronym
|
SIMS
|
| http://dbpedia.org/property/analytes
|
Solid surfaces, thin films
|
| http://dbpedia.org/property/caption
|
Old magnetic sector SIMS, model IMS 3f, succeeded by the models 4f, 5f, 6f, 7f and most recently, 7f-Auto, launched in 2013 by the manufacturer CAMECA.
|
| http://dbpedia.org/property/classification
|
Mass spectrometry
|
| http://dbpedia.org/property/name
|
Secondary-ion mass spectrometry
|
| http://dbpedia.org/property/related
|
http://dbpedia.org/resource/Microprobe +
, http://dbpedia.org/resource/Fast_atom_bombardment +
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Citation_needed +
, http://dbpedia.org/resource/Template:ISBN +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Short_description +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Mass_spectrometry +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Refend +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Refbegin +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Infobox_chemical_analysis +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Mass_spectrometry +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_analysis +
|
| http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
|
http://dbpedia.org/resource/Technique +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Secondary_ion_mass_spectrometry?oldid=1074648608&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/IMS3F_pbmf.jpg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/SIMS_instrument_scheme_600x600.png +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Secondary_ion_mass_spectrometry +
|
| owl:sameAs |
http://zh.dbpedia.org/resource/%E4%BA%8C%E6%AC%A1%E7%A6%BB%E5%AD%90%E8%B4%A8%E8%B0%B1 +
, https://global.dbpedia.org/id/4kkP1 +
, http://it.dbpedia.org/resource/Spettrometria_di_massa_di_ioni_secondari +
, http://de.dbpedia.org/resource/Sekund%C3%A4rionen-Massenspektrometrie +
, http://fa.dbpedia.org/resource/%D8%B7%DB%8C%D9%81%E2%80%8C%D8%B3%D9%86%D8%AC%DB%8C_%D8%AC%D8%B1%D9%85%DB%8C_%DB%8C%D9%88%D9%86_%D8%AB%D8%A7%D9%86%D9%88%DB%8C%D9%87 +
, http://dbpedia.org/resource/Secondary_ion_mass_spectrometry +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.02_p5f +
, http://ja.dbpedia.org/resource/%E4%BA%8C%E6%AC%A1%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%B3%E8%B3%AA%E9%87%8F%E5%88%86%E6%9E%90%E6%B3%95 +
, http://www.wikidata.org/entity/Q556046 +
, http://tr.dbpedia.org/resource/%C4%B0kincil_iyon_k%C3%BCtle_spektrometrisi +
, http://fy.dbpedia.org/resource/Sekond%C3%AAre-Ioane-Massa-Spektroskopy_%28SIMS%29 +
, http://ru.dbpedia.org/resource/%D0%9C%D0%B0%D1%81%D1%81-%D1%81%D0%BF%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BC%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%8F_%D0%B2%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B8%D1%87%D0%BD%D1%8B%D1%85_%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%BE%D0%B2 +
, http://fr.dbpedia.org/resource/Spectrom%C3%A9trie_de_masse_des_ions_secondaires +
, http://pt.dbpedia.org/resource/SIMS +
, http://cs.dbpedia.org/resource/Hmotnostn%C3%AD_spektrometrie_sekund%C3%A1rn%C3%ADch_iont%C5%AF +
, http://no.dbpedia.org/resource/Sekund%C3%A6r_ionemassespektrometri +
|
| rdf:type |
http://dbpedia.org/class/yago/Abstraction100002137 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Work100575741 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Activity100407535 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Act100030358 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Investigation100633864 +
, http://dbpedia.org/class/yago/YagoPermanentlyLocatedEntity +
, http://dbpedia.org/ontology/TopicalConcept +
, http://dbpedia.org/class/yago/PsychologicalFeature100023100 +
, http://dbpedia.org/class/yago/ChemicalAnalysis100646833 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Analysis100634276 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Event100029378 +
|
| rdfs:comment |
La spectrométrie de masse des ions seconda … La spectrométrie de masse des ions secondaires est un procédé d'analyse de surface connu sous le nom de SIMS, d'après l'acronyme anglais signifiant secondary ion mass spectrometry, qui consiste à bombarder la surface de l'échantillon à analyser avec un faisceau d'ions. L'échantillon est alors pulvérisé, et une partie de la matière pulvérisée est ionisée. Ces ions secondaires sont alors accélérés vers un spectromètre de masse qui permettra de mesurer la composition élémentaire, isotopique ou moléculaire de la surface de l'échantillon. Le SIMS est la technique d'analyse de surface la plus sensible, mais présente plus de difficultés dans l'interprétation quantitative précise que d'autres techniques.ntitative précise que d'autres techniques.
, Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) i … Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) ist eine Methode der Oberflächenphysik/Oberflächenchemie, mit der die Zusammensetzung einer Probe analysiert werden kann; sie stellt somit eine spezielle Form der Massenspektrometrie dar. Wie Sekundär-Neutralteilchen-Massenspektrometrie (SNMS), Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) und niederenergetische Ionenstreuspektroskopie (LEIS) gehört SIMS zu den Ionenstrahltechniken. Bei der SIMS wird die Probe mit primären Ionen beschossen, die dann die zu analysierenden sekundären Ionen freisetzen.nalysierenden sekundären Ionen freisetzen.
, Secondary-ion mass spectrometry (SIMS) é u … Secondary-ion mass spectrometry (SIMS) é uma técnica utilizada para analisar a composição de superfícies sólidas e filmes finos através da aplicação de sputtering na superfície da espécie com um feixe de íon primário, focalizado, coletando e analisando os íons secundários ejetados. A razão massa/carga destes íons secundários é medida com um espectrômetro de massas a fim de determinar as composições elemental, isotópica ou molecular da superfície em profundidades de 1 a 2 nm. Devido à grande variação nas probabilidades de ionização dos diversos materiais, a SIMS é geralmente considerada uma técnica qualitativa; quantificações são possíveis com o uso de referências. SIMS é a técnica de análise mais sensitiva à superfície, com limites de detecção de partes por milhão a partes por bilhão. de partes por milhão a partes por bilhão.
, 二次离子质谱（英語：Secondary Ion Mass Spectroscopy, … 二次离子质谱（英語：Secondary Ion Mass Spectroscopy, SIMS）是用来分析固体表面或者是薄膜的化学成分的技术，其用一束聚焦的离子束溅射待测品表面，并通过检测轰击出的二次离子的荷质比确定距表面深度1-2纳米厚的薄层的元素、同位素与分子的组成。它是用m，Xe等惰性气体电离产生重离子来轰击样品表面，把打出试样的碎片连同轰击时弹射出去的原激发离子一同送入质谱计，进行质量分离与检测，最后得到质谱。它的原理除了采用轰击激发以外，其余与质谱仪完全相同。SIMS一般采用四极质谱计，因为它结构简单，而且体积较小。但是它检测的相对分子质量范围仅限于几千以下。SIMS是一种非常灵敏的表面分析方法，它在有机高分子分析方面的应用近年来获得迅速的发展。现代的综合能谱仪上常附有SIMS的装置。机高分子分析方面的应用近年来获得迅速的发展。现代的综合能谱仪上常附有SIMS的装置。
, Hmotnostní spektrometrie sekundárních iont … Hmotnostní spektrometrie sekundárních iontů, anglicky Secondary ion mass spectrometry, zkráceně SIMS, je technika sloužící k analýze složení povrchů pevných látek a tenkých vrstev pomocí vyprašování povrchu bombardujícími ionty a shromažďováním (analyzováním) vyražených sekundárních iontů. Sekundární ionty emitované z povrchu materiálu pomocí "vyprašovacího" procesu se používají k analýze chemického složení materiálu. Tyto částice však představují jen malý zlomek částic emitovaných ze vzorku. Sekundární ionty se měří hmotnostním spektrometrem určující prvkové, izotopové, nebo molekulární složení povrchu. SIMS je jedna z nejcitlivějších analýz povrchů, která je schopna detekovat prvky, i když jsou přítomny řádově jen v nanometrových oblastech.omny řádově jen v nanometrových oblastech.
, Secondary-ion mass spectrometry (SIMS) is … Secondary-ion mass spectrometry (SIMS) is a technique used to analyze the composition of solid surfaces and thin films by sputtering the surface of the specimen with a focused primary ion beam and collecting and analyzing ejected secondary ions. The mass/charge ratios of these secondary ions are measured with a mass spectrometer to determine the elemental, isotopic, or molecular composition of the surface to a depth of 1 to 2 nm. Due to the large variation in ionization probabilities among elements sputtered from different materials, comparison against well-calibrated standards is necessary to achieve accurate quantitative results. SIMS is the most sensitive surface analysis technique, with elemental detection limits ranging from parts per million to parts per billion.om parts per million to parts per billion.
, La spettrometria di massa di ioni secondar … La spettrometria di massa di ioni secondari, indicata comunemente con l'acronimo SIMS, dall'inglese secondary ion mass spectrometry è una tecnica di spettrometria di massa utilizzata per la caratterizzazione di superfici. Consiste nel bombardare il campione con un fascio di ioni (detti ioni primari) ed analizzare gli ioni prodotti dal bombardamento (ioni secondari). La tecnica SIMS garantisce un'altissima sensibilità nel rilevare sostanze presenti in traccia (ppm-ppb) e un'eccellente risoluzione in profondità (3÷10 nm).lente risoluzione in profondità (3÷10 nm).
, Масс-спектрометрия вторичных ионов (МСВИ) … Масс-спектрометрия вторичных ионов (МСВИ) (англ. Secondary-Ion Mass Spectrometry, SIMS) — метод получения ионов из низколетучих, полярных и термически нестойких соединений в масс-спектрометрии. Первоначально применялся для определения элементного состава низко-летучих веществ, однако впоследствии стал использоваться как десорбционный метод мягкой ионизации органических веществ. Используется для анализа состава твёрдых поверхностей и тонких плёнок. МСВИ — самая чувствительная из техник анализа поверхностей, способная обнаружить присутствие элемента в диапазоне 1 часть на миллиард. элемента в диапазоне 1 часть на миллиард.
, 二次イオン質量分析法（にじイオンしつりょうぶんせきほう、英: Secondary Ion Mass Spectrometry、略称：SIMS）とは、質量分析法におけるイオン化方法の種類の一つである。特に固体の表面にビーム状のイオン（と呼ばれる）を照射し、そのイオンと固体表面の分子・原子レベルでの衝突によって発生するイオン（と呼ばれる）を質量分析計で検出するである。
|
| rdfs:label |
Sekundärionen-Massenspektrometrie
, Hmotnostní spektrometrie sekundárních iontů
, Spettrometria di massa di ioni secondari
, SIMS
, Spectrométrie de masse des ions secondaires
, 二次イオン質量分析法
, 二次离子质谱
, Secondary ion mass spectrometry
, Масс-спектрометрия вторичных ионов
|
