| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
有機金屬化學气相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical … 有機金屬化學气相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，是在基板上成長半導體薄膜的一種方法。其他類似的名稱如：MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)、OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及OMCVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition)等等，其中的前兩個字母 "MO" 或是 "OM"，指的是半導體薄膜成長過程中所採用的反應源(precusor)為 "Metal-organic" 或是有機金屬化合物。而後面三個字母 "CVD" 或是 "VPE"，指的是所成長的半導體薄膜的特性是屬於非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。一般而言，"CVD" 所指的是非晶形薄膜的成長，這種成長方式歸類於 "沉積"(Deposition)；而"VPE"所指的是具有晶形的薄膜成長方式，這種方式歸類於"磊晶"(Epitaxy)。"VPE"所指的是具有晶形的薄膜成長方式，這種方式歸類於"磊晶"(Epitaxy)。
, L'Epitassia di fase vapore metallo-organic … L'Epitassia di fase vapore metallo-organica (MOVPE), nota anche come epitassia di fase-vapore di tipo organometallico (OMVPE) o deposizione di vapore chimico metalloorganico (MOCVD), è un metodo di deposizione di vapore chimico usato per produrre film sottili singoli o policristallini. È un processo estremamente complesso per la crescita di strati cristallini per creare complesse strutture multistrato a semiconduttore. Contrariamente all'epitassia a fascio molecolare (MBE), la crescita dei cristalli avviene per reazione chimica e non per deposizione fisica. Ciò non avviene nel vuoto, ma dalla fase gassosa a pressioni moderate (da 10 a 760 Torr). Come tale, questa tecnica è preferita per la formazione di dispositivi che incorporano leghe termodinamicamente metastabili, ed è diventato un processo importante nella produzione di optoelettronica. È stato inventato nel 1968 al North Science Aviation Center (in seguito Rockwell International) da Harold M. Manasevit.ell International) da Harold M. Manasevit.
, Осаждение металлорганических соединений из … Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы (англ. Metalorganic chemical vapour deposition) — метод химического осаждения из газовой фазы путём термического разложения (пиролиза) металлоорганических соединений для получения материалов (металлов и полупроводников), в том числе путём эпитаксиального выращивания. Например, арсенид галлия выращивают при использовании триметилгаллия ((CH3)3Ga) и трифенилмышьяка (C6H5)3As). Сам термин предложен основоположником метода Гарольдом Манасевитом в 1968 году.В отличие от молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ, также используется термин «молекулярно-пучковая эпитаксия», МПЭ) рост осуществляется не в высоком вакууме, а из парогазовой смеси пониженного или атмосферного давления (от 2 до 101 кПа).и атмосферного давления (от 2 до 101 кПа).
, Металоорганічна епітаксія з пару (англ. Me … Металоорганічна епітаксія з пару (англ. Metalorganic vapour phase epitaxy, MOVPE or metalorganic chemical vapour deposition, MOCVD) - метод отримання матеріалів, в тому числі епітаксіального нарощування напівпровідників, шляхом термічного розкладання (піролізу) металоорганічних сполук, що містять необхідні хімічні елементи. Наприклад, арсенід галію вирощують при використанні триметилгалію ((CH3)3Ga) і трифеніларсену (C6H5 )3As). Сам термін запропонований основоположником методу Гарольдом Манасевітом в 1968 році. На відміну від молекулярно-променевої епітаксії (МПЕ, також використовується термін "молекулярно-пучкова епітаксія" ) зростання здійснюється не у високому вакуумі, а з парогазової суміші зниженого або атмосферного тиску (від 2 до 101 кПа).або атмосферного тиску (від 2 до 101 кПа).
, Die metallorganische Gasphasenepitaxie (en … Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo-metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten. Es ist in Bezug auf die verwendeten Anlagen identisch mit der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (engl. metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), wobei die Begriffe MOVPE, MOCVD und OMVPE im Verbindungshalbleiterbereich in der Regel für dieselben Prozesse verwendet werden. Dabei bezeichnet die MOCVD jede Abscheidung mit dem Verfahren, die MOVPE und OMVPE nur die Epitaxie, also das (ein)kristalline Wachstum auf einer kristallinen Unterlage. Im Gegensatz zu Molekularstrahlepitaxie (MBE) findet das Wachstum der Kristalle nicht im Hochvakuum, sondern im Grobvakuum (20 bis 1000 hPa) statt. Die MOVPE ist das bedeutendste Herstellungsverfahren für III-V-Verbindungshalbleiter insbesondere für Galliumnitrid (GaN) basierte Halbleiter, welches heutzutage das wichtigste Basismaterial für blaue, weiße und grüne LEDs darstellt.für blaue, weiße und grüne LEDs darstellt.
, 有機金属気相成長法（ゆうききんぞくきそうせいちょうほう、英語：metal organ … 有機金属気相成長法（ゆうききんぞくきそうせいちょうほう、英語：metal organic chemical vapor deposition、略称：MOCVD）は、原料として有機金属やガスを用いた結晶成長方法、及びその装置である。結晶成長という観点を重視してMOVPE (metal-organic vapor phase epitaxy) とも言う。 化合物半導体結晶を作製するのに用いられ、MOCVDでは原子層オーダで膜厚を制御することができるため、半導体レーザを初めとするナノテクノロジーといった数nmの設計が必要な分野で用いられる。代表的なである分子線エピタキシー法 (MBE) と比較し、面内での膜厚の偏差が少なく、高速成長が可能であるほか、超高真空を必要としないために装置の大型化が容易である為、大量生産用の結晶成長装置としてLEDや半導体レーザを始めとした光デバイスの商用製品の作製に多く用いられている。してLEDや半導体レーザを始めとした光デバイスの商用製品の作製に多く用いられている。
, L'epitaxia en fase de vapor metalorgànica … L'epitaxia en fase de vapor metalorgànica (amb acrònim anglès MOVPE), també coneguda com a epitaxia en fase de vapor organometàl·lica (OMVPE) o deposició de vapor químic metalorgànic (MOCVD), és un mètode de deposició de vapor químic utilitzat per produir pel·lícules primes simples o policristalines. És un procés per fer créixer capes cristal·lines per crear complexes estructures multicapa de semiconductors. A diferència de l'epitaxia de feix molecular (MBE), el creixement dels cristalls és per reacció química i no per deposició física. Això no es produeix al buit, sinó des de la fase gasosa a pressions moderades (10 a 760 Torr). Com a tal, aquesta tècnica és preferida per a la formació de dispositius que incorporen aliatges termodinàmicament metaestables, i s'ha convertit en un procés important en la fabricació d'optoelectrònica, com els díodes emissors de llum. Va ser inventat el 1968 al Centre de Ciència de l'Aviació Nord-americana (més tard Rockwell International) per . En MOCVD, els gasos precursors ultrapurs s'injecten en un reactor, generalment amb un gas portador no reactiu. Per a un semiconductor III-V, es podria utilitzar un metall orgànic com a precursor del grup III i un hidrur per al precursor del grup V. Per exemple, el fosfur d'indi es pot cultivar amb precursors de ((CH₃)₃In) i fosfina (PH₃). A mesura que els precursors s'apropen a l'oblia semiconductora, experimenten piròlisi i la subespècie s'absorbeix a la superfície de l'oblia. La reacció superficial de la subespècie precursora dóna lloc a la incorporació d'elements a una nova capa epitaxial de la xarxa cristal·lina semiconductora. En el règim de creixement limitat al transport massiu en què funcionen normalment els reactors MOCVD, el creixement és impulsat per la sobresaturació d'espècies químiques en la fase de vapor. MOCVD pot cultivar pel·lícules que contenen combinacions del grup III i del grup V, del grup II i del grup VI, del grup IV.V, del grup II i del grup VI, del grup IV.
, La epitaxia metalorgánica en fase de vapor … La epitaxia metalorgánica en fase de vapor (del inglés, Metalorganic vapour phase epitaxy- MOVPE) es un método de deposición química vaporosa con el que se produce un crecimiento epitaxial de ciertos materiales, en concreto de los compuestos semiconductores originados a raíz de una reacción en la superficie de compuestos orgánicos y metalorgánicos, y también de hidruros de metal que poseen una serie de elementos químicos concretos. Por ejemplo, el fosfuro de indio podría desarrollarse en un reactor sobre un sustrato introduciendo ((CH3)3In) y fosfina (PH3). Otros nombres con los que se define este proceso son: epitaxia en fase de vapor (OMVPE), deposición química metalorgánica de vapor (MOCVD) y deposición química organometálica en fase de vapor (OMCVD). La formación de la capa epitaxial se produce por una pirólisis de los productos químicos constitutivos de la superficie del sustrato. A diferencia de la (MBE), el crecimiento de cristales se debe a una reacción química y no a una deposición física. Además, este proceso no se desarrolla en vacío, sino en una atmósfera de gas a presiones moderadas (de 2 a 100 kPa). Se prefiere emplear esta técnica para la elaboración de dispositivos que incorporen aleaciones termodinámicamente. Así, se ha convertido en el procedimiento elegido a la hora de fabricar láser de diodo, células solares, y LEDs.r láser de diodo, células solares, y LEDs.
, Epitaksja z fazy gazowej z użyciem związkó … Epitaksja z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych, MOVPE (od ang. metalorganic vapour-phase epitaxy), chemiczne osadzanie z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych, MOCVD (od ang. metalorganic chemical vapour deposition) – technika osadzania na powierzchni materiałów poprzez stosowanie związków metaloorganicznych w formie pary. Jest to jedna z technik chemicznego osadzania z fazy gazowej. Technika ta polega na umieszczaniu odpowiednio przygotowanych materiałów (np: wypolerowanych płytek krzemowych) w specjalnym reaktorze umożliwiającym dokładną kontrolę temperatury i ciśnienia. Do reaktora wprowadza się opary związku metaloorganicznego i inne gazy, które mogą reagować ze związkiem wyjściowym (amoniak, wodór, fosforowodór), prowadząc zwykle do jego częściowej redukcji lub wypierania ligandów organicznych. Proces osadzania jest efektem zarówno reakcji między substratami gazowymi, jak i procesów fizycznych, w tym pirolizy i epitaksji. W rezultacie zazwyczaj otrzymuje się regularne warstwy o właściwościach półprzewodnikowych. Stosowane związki metaloorganiczne to zazwyczaj proste kompleksy alkilowe metali i półmetali III, IV i V grupy głównej układu okresowego (glin, gal, ind, german, cyna, arsen, antymon, tellur, selen), a także cynku i kadmu. Proces osadzania nie wymaga wysokiej próżni, lecz ciśnień od atmosferycznego do umiarkowanego podciśnienia (do około dwóch kilopaskali), co jest podstawową zaletą tej metody. Technika ta jest jedną z metod otrzymywania półprzewodnikowych materiałów do produkcji diod laserowych i elektroluminescencyjnych oraz ogniw słonecznych.oluminescencyjnych oraz ogniw słonecznych.
, Metalorganic vapour-phase epitaxy (MOVPE), … Metalorganic vapour-phase epitaxy (MOVPE), also known as organometallic vapour-phase epitaxy (OMVPE) or metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD), is a chemical vapour deposition method used to produce single- or polycrystalline thin films. It is a process for growing crystalline layers to create complex semiconductor multilayer structures. In contrast to molecular-beam epitaxy (MBE), the growth of crystals is by chemical reaction and not physical deposition. This takes place not in vacuum, but from the gas phase at moderate pressures (10 to 760 Torr). As such, this technique is preferred for the formation of devices incorporating thermodynamically metastable alloys, and it has become a major process in the manufacture of optoelectronics, such as Light-emitting diodes. It was invented in 1968 at North American Aviation (later Rockwell International) Science Center by Harold M. Manasevit.al) Science Center by Harold M. Manasevit.
, L'épitaxie en phase vapeur aux organométal … L'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM, aussi connue sous les acronymes anglophones MOVPE — metalorganic vapor phase epitaxy ou MOCVD — metalorganic chemical vapor deposition, terme plus général) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d'organométalliques ou d'hydrures, sont amenés vers le substrat monocristallin par un gaz vecteur. Cette technique de croissance est particulièrement prisée dans l'industrie des semi-conducteurs III-V en raison de la bonne reproductibilité et des fortes vitesses de croissance accessibles. La caractéristique principale de ce procédé est que la couche que l'on fait croître est monocristalline (une seule orientation cristalline dans tout son volume) et reproduit l'orientation du substrat, lui-même monocristallin; c'est ce qu'évoque le nom "épitaxie", composé des racines grecques ἐπί (sur) et τάξις (ordre, arrangement).s ἐπί (sur) et τάξις (ordre, arrangement).
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/MOCVDprocess.jpg?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageExternalLink
|
http://en.wiktionary.org/wiki/DIPTe +
, http://en.wiktionary.org/wiki/EDMIn +
, http://en.wiktionary.org/wiki/IBGE +
, https://web.archive.org/web/20080815045333/http:/en.wiktionary.org/wiki/DIPMeIn +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
2925575
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
11887
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1109336970
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Phosphine +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_indium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Phenyl_hydrazine +
, http://dbpedia.org/resource/Titanium_isopropoxide +
, http://dbpedia.org/resource/Strained_silicon +
, http://dbpedia.org/resource/Stibine +
, http://dbpedia.org/resource/ZnO +
, http://dbpedia.org/resource/Saturated_vapor +
, http://dbpedia.org/resource/Trimethylgallium +
, http://dbpedia.org/resource/Triethylgallium +
, http://dbpedia.org/resource/Isobutylgermane +
, http://dbpedia.org/resource/Vapor_pressure +
, http://dbpedia.org/resource/Triethylaluminium +
, http://dbpedia.org/resource/Dimethylzinc +
, http://dbpedia.org/resource/Susceptor +
, http://dbpedia.org/resource/Dimethylhydrazine +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_gallium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Indium +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_gallium_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/Torr_%28unit%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Phases_of_matter +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor_wafer +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/Organogermanium_compound +
, http://dbpedia.org/resource/Light-emitting_diodes +
, http://dbpedia.org/resource/Germanium +
, http://dbpedia.org/resource/Dimethyl_telluride +
, http://dbpedia.org/resource/GeSbTe +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_arsenide_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon +
, http://dbpedia.org/resource/Scrubber +
, http://dbpedia.org/resource/Pyrolysis +
, http://dbpedia.org/resource/Triethylindium +
, http://dbpedia.org/resource/Graphite +
, http://dbpedia.org/resource/Ammonia +
, http://dbpedia.org/resource/Harold_M._Manasevit +
, http://dbpedia.org/resource/Electromagnetic_radiation +
, http://dbpedia.org/resource/Thin-film_deposition +
, http://dbpedia.org/resource/Optoelectronics +
, http://dbpedia.org/resource/Organoselenium_chemistry +
, http://dbpedia.org/resource/Vacuum +
, http://dbpedia.org/resource/Metalorganics +
, http://dbpedia.org/resource/Gas +
, http://dbpedia.org/resource/Zinc +
, http://dbpedia.org/resource/Trimethylindium +
, http://dbpedia.org/resource/Temperature +
, http://dbpedia.org/resource/Organometallic +
, http://dbpedia.org/resource/Rockwell_International +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_growth +
, http://dbpedia.org/resource/Tantalum_carbide +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/North_American_Aviation +
, http://dbpedia.org/resource/Cadmium +
, http://dbpedia.org/resource/List_of_semiconductor_materials +
, http://dbpedia.org/resource/Chemical_vapour_deposition +
, http://dbpedia.org/resource/Carbon_group +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_device_fabrication +
, http://dbpedia.org/resource/Titanium_ethoxide +
, http://dbpedia.org/resource/Cadmium_oxide +
, http://dbpedia.org/resource/Selenium +
, http://dbpedia.org/resource/Arsenic +
, http://dbpedia.org/resource/Boron_group +
, http://dbpedia.org/resource/Germane +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Nitrogen_group +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Thin_film_deposition +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Chemical_processes +
, http://dbpedia.org/resource/Diethylzinc +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Metalorganic +
, http://dbpedia.org/resource/Group_12_element +
, http://dbpedia.org/resource/Glass +
, http://dbpedia.org/resource/Antimony +
, http://dbpedia.org/resource/Atomic_layer_deposition +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/Organophosphorus +
, http://dbpedia.org/resource/Hydrogen +
, http://dbpedia.org/resource/Organocadmium_compound +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium +
, http://dbpedia.org/resource/Molecular-beam_epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Zinc_selenide +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium +
, http://dbpedia.org/resource/Molecular_beam_epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Trimethylaluminium +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_gallium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Hydrogen_purifier +
, http://dbpedia.org/resource/Phosphorus +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_gallium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Titanium +
, http://dbpedia.org/resource/Liquid +
, http://dbpedia.org/resource/HgCdTe +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_gallium_indium_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/Alkoxides +
, http://dbpedia.org/resource/Chalcogen +
, http://dbpedia.org/resource/Tetraethylgermanium +
, http://dbpedia.org/resource/Nitrogen +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_gallium_antimonide +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_indium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_arsenide_antimonide +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_gallium_antimonide +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_indium_aluminium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_indium_aluminium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/File:GenericMOCVD.jpg +
, http://dbpedia.org/resource/Arsine +
, http://dbpedia.org/resource/File:MOCVDprocess.jpg +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_indium_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_antimonide +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_aluminium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_antimonide +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_indium_arsenide_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Pressure +
, http://dbpedia.org/resource/Chemical_bond +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_indium_arsenide_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/Tellurium +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_aluminium_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Crystals +
, http://dbpedia.org/resource/Zinc_sulfide +
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Citation_needed +
, http://dbpedia.org/resource/Template:EngvarB +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Short_description +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_growth +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Thin_film_deposition +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_device_fabrication +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Chemical_processes +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Metalorganic_vapour-phase_epitaxy?oldid=1109336970&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/MOCVDprocess.jpg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/GenericMOCVD.jpg +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Metalorganic_vapour-phase_epitaxy +
|
| owl:sameAs |
http://ru.dbpedia.org/resource/%D0%9E%D1%81%D0%B0%D0%B6%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5_%D0%BC%D0%B5%D1%82%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%BE%D1%80%D0%B3%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D1%85_%D1%81%D0%BE%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B9_%D0%B8%D0%B7_%D0%B3%D0%B0%D0%B7%D0%BE%D0%BE%D0%B1%D1%80%D0%B0%D0%B7%D0%BD%D0%BE%D0%B9_%D1%84%D0%B0%D0%B7%D1%8B +
, http://fr.dbpedia.org/resource/%C3%89pitaxie_en_phase_vapeur_aux_organom%C3%A9talliques +
, http://zh.dbpedia.org/resource/%E6%9C%89%E6%9C%BA%E9%87%91%E5%B1%9E%E5%8C%96%E5%AD%A6%E6%B0%94%E7%9B%B8%E6%B2%89%E7%A7%AF%E6%B3%95 +
, https://global.dbpedia.org/id/qu9B +
, http://ja.dbpedia.org/resource/%E6%9C%89%E6%A9%9F%E9%87%91%E5%B1%9E%E6%B0%97%E7%9B%B8%E6%88%90%E9%95%B7%E6%B3%95 +
, http://ca.dbpedia.org/resource/MOVPE +
, http://pl.dbpedia.org/resource/Epitaksja_z_fazy_gazowej_z_u%C5%BCyciem_zwi%C4%85zk%C3%B3w_metaloorganicznych +
, http://es.dbpedia.org/resource/Deposici%C3%B3n_de_vapor_mediante_procesos_qu%C3%ADmicos_organomet%C3%A1licos +
, http://www.wikidata.org/entity/Q1924991 +
, http://de.dbpedia.org/resource/Metallorganische_Gasphasenepitaxie +
, http://dbpedia.org/resource/Metalorganic_vapour-phase_epitaxy +
, http://uk.dbpedia.org/resource/MOVPE +
, http://it.dbpedia.org/resource/MOCVD +
, http://fa.dbpedia.org/resource/%D8%A8%D8%B1%D8%A2%D8%B1%D8%A7%DB%8C%DB%8C_%D8%A8%D8%AE%D8%A7%D8%B1_%D9%81%D9%84%D8%B2-%D8%A2%D9%84%DB%8C +
|
| rdfs:comment |
L'épitaxie en phase vapeur aux organométal … L'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM, aussi connue sous les acronymes anglophones MOVPE — metalorganic vapor phase epitaxy ou MOCVD — metalorganic chemical vapor deposition, terme plus général) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d'organométalliques ou d'hydrures, sont amenés vers le substrat monocristallin par un gaz vecteur. Cette technique de croissance est particulièrement prisée dans l'industrie des semi-conducteurs III-V en raison de la bonne reproductibilité et des fortes vitesses de croissance accessibles.fortes vitesses de croissance accessibles.
, L'Epitassia di fase vapore metallo-organic … L'Epitassia di fase vapore metallo-organica (MOVPE), nota anche come epitassia di fase-vapore di tipo organometallico (OMVPE) o deposizione di vapore chimico metalloorganico (MOCVD), è un metodo di deposizione di vapore chimico usato per produrre film sottili singoli o policristallini. È un processo estremamente complesso per la crescita di strati cristallini per creare complesse strutture multistrato a semiconduttore. Contrariamente all'epitassia a fascio molecolare (MBE), la crescita dei cristalli avviene per reazione chimica e non per deposizione fisica. Ciò non avviene nel vuoto, ma dalla fase gassosa a pressioni moderate (da 10 a 760 Torr). Come tale, questa tecnica è preferita per la formazione di dispositivi che incorporano leghe termodinamicamente metastabili, ed è diventato un procamente metastabili, ed è diventato un pro
, La epitaxia metalorgánica en fase de vapor … La epitaxia metalorgánica en fase de vapor (del inglés, Metalorganic vapour phase epitaxy- MOVPE) es un método de deposición química vaporosa con el que se produce un crecimiento epitaxial de ciertos materiales, en concreto de los compuestos semiconductores originados a raíz de una reacción en la superficie de compuestos orgánicos y metalorgánicos, y también de hidruros de metal que poseen una serie de elementos químicos concretos. Por ejemplo, el fosfuro de indio podría desarrollarse en un reactor sobre un sustrato introduciendo ((CH3)3In) y fosfina (PH3). Otros nombres con los que se define este proceso son: epitaxia en fase de vapor (OMVPE), deposición química metalorgánica de vapor (MOCVD) y deposición química organometálica en fase de vapor (OMCVD). La formación de la capa epitaxia (OMCVD). La formación de la capa epitaxia
, Metalorganic vapour-phase epitaxy (MOVPE), … Metalorganic vapour-phase epitaxy (MOVPE), also known as organometallic vapour-phase epitaxy (OMVPE) or metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD), is a chemical vapour deposition method used to produce single- or polycrystalline thin films. It is a process for growing crystalline layers to create complex semiconductor multilayer structures. In contrast to molecular-beam epitaxy (MBE), the growth of crystals is by chemical reaction and not physical deposition. This takes place not in vacuum, but from the gas phase at moderate pressures (10 to 760 Torr). As such, this technique is preferred for the formation of devices incorporating thermodynamically metastable alloys, and it has become a major process in the manufacture of optoelectronics, such as Light-emitting diodes. It was inventeh as Light-emitting diodes. It was invente
, Осаждение металлорганических соединений из … Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы (англ. Metalorganic chemical vapour deposition) — метод химического осаждения из газовой фазы путём термического разложения (пиролиза) металлоорганических соединений для получения материалов (металлов и полупроводников), в том числе путём эпитаксиального выращивания. Например, арсенид галлия выращивают при использовании триметилгаллия ((CH3)3Ga) и трифенилмышьяка (C6H5)3As). Сам термин предложен основоположником метода Гарольдом Манасевитом в 1968 году.В отличие от молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ, также используется термин «молекулярно-пучковая эпитаксия», МПЭ) рост осуществляется не в высоком вакууме, а из парогазовой смеси пониженного или атмосферного давления (от 2 до 101 кПа).и атмосферного давления (от 2 до 101 кПа).
, 有機金属気相成長法（ゆうききんぞくきそうせいちょうほう、英語：metal organ … 有機金属気相成長法（ゆうききんぞくきそうせいちょうほう、英語：metal organic chemical vapor deposition、略称：MOCVD）は、原料として有機金属やガスを用いた結晶成長方法、及びその装置である。結晶成長という観点を重視してMOVPE (metal-organic vapor phase epitaxy) とも言う。 化合物半導体結晶を作製するのに用いられ、MOCVDでは原子層オーダで膜厚を制御することができるため、半導体レーザを初めとするナノテクノロジーといった数nmの設計が必要な分野で用いられる。代表的なである分子線エピタキシー法 (MBE) と比較し、面内での膜厚の偏差が少なく、高速成長が可能であるほか、超高真空を必要としないために装置の大型化が容易である為、大量生産用の結晶成長装置としてLEDや半導体レーザを始めとした光デバイスの商用製品の作製に多く用いられている。してLEDや半導体レーザを始めとした光デバイスの商用製品の作製に多く用いられている。
, Epitaksja z fazy gazowej z użyciem związkó … Epitaksja z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych, MOVPE (od ang. metalorganic vapour-phase epitaxy), chemiczne osadzanie z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych, MOCVD (od ang. metalorganic chemical vapour deposition) – technika osadzania na powierzchni materiałów poprzez stosowanie związków metaloorganicznych w formie pary. Jest to jedna z technik chemicznego osadzania z fazy gazowej. Technika ta jest jedną z metod otrzymywania półprzewodnikowych materiałów do produkcji diod laserowych i elektroluminescencyjnych oraz ogniw słonecznych.oluminescencyjnych oraz ogniw słonecznych.
, Металоорганічна епітаксія з пару (англ. Me … Металоорганічна епітаксія з пару (англ. Metalorganic vapour phase epitaxy, MOVPE or metalorganic chemical vapour deposition, MOCVD) - метод отримання матеріалів, в тому числі епітаксіального нарощування напівпровідників, шляхом термічного розкладання (піролізу) металоорганічних сполук, що містять необхідні хімічні елементи. Наприклад, арсенід галію вирощують при використанні триметилгалію ((CH3)3Ga) і трифеніларсену (C6H5 )3As). Сам термін запропонований основоположником методу Гарольдом Манасевітом в 1968 році. На відміну від молекулярно-променевої епітаксії (МПЕ, також використовується термін "молекулярно-пучкова епітаксія" ) зростання здійснюється не у високому вакуумі, а з парогазової суміші зниженого або атмосферного тиску (від 2 до 101 кПа).або атмосферного тиску (від 2 до 101 кПа).
, 有機金屬化學气相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical … 有機金屬化學气相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，是在基板上成長半導體薄膜的一種方法。其他類似的名稱如：MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)、OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及OMCVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition)等等，其中的前兩個字母 "MO" 或是 "OM"，指的是半導體薄膜成長過程中所採用的反應源(precusor)為 "Metal-organic" 或是有機金屬化合物。而後面三個字母 "CVD" 或是 "VPE"，指的是所成長的半導體薄膜的特性是屬於非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。一般而言，"CVD" 所指的是非晶形薄膜的成長，這種成長方式歸類於 "沉積"(Deposition)；而"VPE"所指的是具有晶形的薄膜成長方式，這種方式歸類於"磊晶"(Epitaxy)。"VPE"所指的是具有晶形的薄膜成長方式，這種方式歸類於"磊晶"(Epitaxy)。
, Die metallorganische Gasphasenepitaxie (en … Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo-metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten. Es ist in Bezug auf die verwendeten Anlagen identisch mit der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (engl. metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), wobei die Begriffe MOVPE, MOCVD und OMVPE im Verbindungshalbleiterbereich in der Regel für dieselben Prozesse verwendet werden. Dabei bezeichnet die MOCVD jede Abscheidung mit dem Verfahren, die MOVPE und OMVPE nur die Epitaxie, also das (ein)kristalline Wachstum auf einer kristallinen Unterlage. Im Gegensatz zu Molekularstrahlepitaxie (MBE) findet das Wachstum der Kristalle nicht im Hochvakuum, sondern im Grobvalle nicht im Hochvakuum, sondern im Grobva
|
| rdfs:label |
MOVPE
, MOCVD
, 有機金属気相成長法
, Metalorganic vapour-phase epitaxy
, Deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos
, 有机金属化学气相沉积法
, Epitaksja z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych
, Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы
, Metallorganische Gasphasenepitaxie
, Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques
|
