| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
Une hétérojonction est une jonction entre deux semi-conducteurs dont les bandes interdites (gap, en langue anglaise) sont différentes. Les hétérojonctions ont une importance considérable en physique des semi-conducteurs et en optique.
, Гетероперехід - контакт між двома різними … Гетероперехід - контакт між двома різними за хімічною будовою матеріалами, зокрема напівпровідниками. Термін вживається на противагу p-n переходу, в якому існує контакт між двома областями одного матеріалу, але з різними домішками, частка яких дуже маленька, тож вони не змінюють зонної структури матеріалу. Гетеропереходи характеризуються зміною положення й ширини забороненої зони при переході від одного напівпровідника до іншого. Гетеропереходи виникають при виготовленні надґраток, квантових ям, квантових дротин, квантових точок. Введення гетеропереходу між емітером і базою в біполярних транзисторах значно покращує їхні характеристики. Для виготовлення гетеропереходів використовується метод . Важливим параметром якості гетеропереходу є відсутність дислокацій на границі. Для цього використовуються речовини із малою різницею в періодах кристалічної ґратки. Популярною парою для гетеропереходів є GaAs/AlxGa1-xAs.рою для гетеропереходів є GaAs/AlxGa1-xAs.
, 이종접합(Heterojunction)은 서로 다른 결정 반도체의 2개의 층 … 이종접합(Heterojunction)은 서로 다른 결정 반도체의 2개의 층 또는 영역 사이의 접점(interface)이다. 이러한 반도체 물질은 동종접합 (homojunction)과는 달리 불균일한 띠틈을 갖는다. 반도체 레이저, 태양 전지 및 트랜지스터(이종 트랜지스터, heterotransistors)를 포함한 많은 반도체 장치 응용 분야에서 전자 에너지 띠를 설계하는 것이 유리하다. 전기 소자에서 다중 헤테로 접합의 조합은 헤테로 구조(heterostructure)라고 부르지만, 두 용어는 일반적으로 상호 교환 가능하게 사용된다. 각각의 물질이 불균등 한 띠틈을 갖는 반도체인지는 상황따라 달라질 수 있다. 특히 전자 특성이 공간 특성에 의존하는 작은 길이의 스케일의 경우에 그렇다. 이형 접합의 보다 현대적인 정의는 금속, 절연물질, 고속 이온 전도체 및 반도체 물질의 결정질 및 비정질 구조를 포함하는 임의의 2개의 고체 상태 물질 사이의 접점이다. 2000년에 허버트 크뢰머(캘리포니아 대학교 샌타바버라)와 조레스 알표로프(Ioffe Institute, 상트페테르부르크)에게, "고속 광전자 및 광전자 공학에 이용되는 반도체 헤테로 구조의 개발"의 공로로 노벨 물리학상이 공동 수여되었다.되는 반도체 헤테로 구조의 개발"의 공로로 노벨 물리학상이 공동 수여되었다.
, Heterojunção é usualmente uma junção Semic … Heterojunção é usualmente uma junção Semicondutor-Semicondutor, em que ambos são diferentes e com diferentes caracteristicas e não apenas dopagem distinta. Uma junção Metal-Semicondutor também é chamada de heterojunção. Quando duas heterojunções são do mesmo tipo de condutividade, diz-se que são isótopas, quando são diferentes diz-se anisótopas., quando são diferentes diz-se anisótopas.
, Гетеропереход — контакт двух различных пол … Гетеропереход — контакт двух различных полупроводников. Особенностью зонной диаграммы гетероперехода является скачок края зоны проводимости на стыке (равный разности сродства к электрону в материалах) и скачок края валентной зоны, см. пример на рисунке. Существуют правила построения таких диаграмм. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе пары полупроводников — GaAs и его твердого раствора с AlAs -- AlxGa1-xAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlxGa1-xAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов. Модулированно-легированные гетероструктуры используют для получения двумерного электронного газа (на рисунке: ДЭГ) с высокой подвижностью, который необходим для исследований дробного квантового эффекта Холла, а также для создания полевых и биполярных транзисторов для сверхбыстрой электроники. Комбинируя материалы, можно также получить сверхрешётки с множественными квантовыми ямами, разделёнными барьерами. Если полупроводники имеют разные постоянные решётки, возможно создание структур с самоформирующимися квантовыми точками на границе.мирующимися квантовыми точками на границе.
, Heterozłącze - złącze wytworzone z dwóch t … Heterozłącze - złącze wytworzone z dwóch typów materiałów o różnej wartości przerwy energetycznej po obu stronach złącza. Szeroko wykorzystywane w laserach półprzewodnikowych (diody laserowe). Różnica między homozłączem a heterozłączem polega na tym, że w heterozłączu mamy do czynienia z materiałami o różnej wartości przerwy energetycznej (dodatkowo może występować różny typ przewodnictwa), podczas gdy w homozłączu po obu stronach złącza jest materiał o tej samej wartości przerwy energetycznej, lecz o różnym typie przewodnictwa - np. konwencjonalna dioda. przewodnictwa - np. konwencjonalna dioda.
, ヘテロ接合（ヘテロせつごう、英語：heterojunction）とは、異なる半導体同士の接合である。通常は格子整合系または格子定数が近い材料系で作られる。
, Una heterounión es una unión entre dos Semiconductores, cuya banda (banda prohibida) es diferente. Las heterouniones tienen una importancia considerable en la física de semiconductores y en óptica.
, Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, e … Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet. Anders als bei einem p-n-Übergang ist hier nicht (nur) die Dotierungsart, sondern die Materialart verschieden. Die Halbleiter besitzen deshalb i. A. eine unterschiedliche Energie der Bandlücke. Heteroübergänge finden sich bei III-V-Halbleitern oder bei II-VI-Halbleitern. Der Nobelpreis für Physik 2000 wurde an Herbert Kroemer und Schores Iwanowitsch Alfjorow für Halbleiter-Heteroübergänge verliehen. für Halbleiter-Heteroübergänge verliehen.
, 异质结（heterojunction）又称异质接面，是一种半导体的特殊pn結，由两层 … 异质结（heterojunction）又称异质接面，是一种半导体的特殊pn結，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。 半导体异质结构（heterostructure）的二极管特性非常接近。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是和光电子元件的关键成分。 异质结是两种不同半导体区域之间的接触面。不同于同质结，组成异质结的这些半导体的材料具有不同的带隙。在许多固态设备应用，如半导体激光器，太阳能电池和晶体管中，异质结通常有利于设计电子能带。尽管异质结和异质结构通常互换使用，但严格意义上在一个设备中将多个异质结合在一起的组合才能称为异质结构。由于要求每种半导体材料都具有不等带隙的要求不是非常严格，尤其是在小长度范围电子特性取决于空间特性。因此，一种更现代的定义是，异质结是任何两种固态材料之间的接触面，这些材料可以是金属，绝缘体，快速离子导体（fast ion conductor）和半导体材料的结晶和无定形结构。快速离子导体（fast ion conductor）和半导体材料的结晶和无定形结构。
, La eterogiunzione è una giunzione tra mate … La eterogiunzione è una giunzione tra materiali aventi gap energetici diversi. La eterogiunzione presenta, inoltre, differenti barriere di potenziale per gli elettroni e per le lacune, al contrario delle omogiunzioni.Il diagramma a bande di una eterogiunzione è ottenibile rispettando i seguenti vincoli: 1.
* Allineamento dei livelli di Fermi. 2.
* Costanza dell'affinità elettronica. 3.
* Continuità dei livelli energetici di elettrone libero. Le eterogiunzioni danno luogo, in prossimità della giunzione stessa, ad una buca di potenziale che può andare oltre il livello di Fermi. Quest'ultima proprietà è sfruttata per la realizzazione di transistori ad alta mobilità elettronica, HEMT.istori ad alta mobilità elettronica, HEMT.
, A heterojunction is an interface between t … A heterojunction is an interface between two layers or regions of dissimilar semiconductors. These semiconducting materials have unequal band gaps as opposed to a homojunction. It is often advantageous to engineer the electronic energy bands in many solid-state device applications, including semiconductor lasers, solar cells and transistors. The combination of multiple heterojunctions together in a device is called a heterostructure, although the two terms are commonly used interchangeably. The requirement that each material be a semiconductor with unequal band gaps is somewhat loose, especially on small length scales, where electronic properties depend on spatial properties. A more modern definition of heterojunction is the interface between any two solid-state materials, including crystalline and amorphous structures of metallic, insulating, fast ion conductor and semiconducting materials.on conductor and semiconducting materials.
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Heterojunction_types.png?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
662174
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
18644
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1088643882
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/DVD +
, http://dbpedia.org/resource/Layer_%28electronics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_tunneling +
, http://dbpedia.org/resource/Heterojunction_bipolar_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Room_temperature +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_mobility +
, http://dbpedia.org/resource/HEMT +
, http://dbpedia.org/resource/Transceiver +
, http://dbpedia.org/resource/Energy_band +
, http://dbpedia.org/resource/Bipolar_junction_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Waveguide +
, http://dbpedia.org/resource/Charge_carriers_in_semiconductors +
, http://dbpedia.org/resource/Schottky_barrier +
, http://dbpedia.org/resource/New_York_City +
, http://dbpedia.org/resource/Ground_state +
, http://dbpedia.org/resource/Photoinduced_charge_separation +
, http://dbpedia.org/resource/Gain_%28electronics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor_materials +
, http://dbpedia.org/resource/Valence_band +
, http://dbpedia.org/resource/Numerical_solution +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Luminescence +
, http://dbpedia.org/resource/Zincblende_%28crystal_structure%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Fluorescent +
, http://dbpedia.org/resource/Population_inversion +
, http://dbpedia.org/resource/P%E2%80%93n_junction +
, http://dbpedia.org/resource/Wiley-Interscience +
, http://dbpedia.org/resource/Material_science +
, http://dbpedia.org/resource/Exciton +
, http://dbpedia.org/resource/Anderson%27s_rule +
, http://dbpedia.org/resource/AlAs +
, http://dbpedia.org/resource/File:Heterojunction_types.png +
, http://dbpedia.org/resource/File:Fe3O4-CdS_Nano_Heterojunction.JPG +
, http://dbpedia.org/resource/Academic_Press +
, http://dbpedia.org/resource/Chemical_vapor_deposition +
, http://dbpedia.org/resource/Anisotropic +
, http://dbpedia.org/resource/Quantum_dot +
, http://dbpedia.org/resource/Thermal_stability +
, http://dbpedia.org/resource/Band_gap +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_affinity +
, http://dbpedia.org/resource/Intrinsic_semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Compound_semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Titanium_dioxide +
, http://dbpedia.org/resource/Scattering +
, http://dbpedia.org/resource/Schr%C3%B6dinger_equation +
, http://dbpedia.org/resource/CD +
, http://dbpedia.org/resource/Quantum_size_effects +
, http://dbpedia.org/resource/Surface_Science +
, http://dbpedia.org/resource/Quantum_efficiency +
, http://dbpedia.org/resource/Nanocrystal +
, http://dbpedia.org/resource/Poisson%27s_equation +
, http://dbpedia.org/resource/Sanyo +
, http://dbpedia.org/resource/AlGaAs +
, http://dbpedia.org/resource/Fiber_optic +
, http://dbpedia.org/resource/Panasonic +
, http://dbpedia.org/resource/Conduction_band +
, http://dbpedia.org/resource/Water_splitting +
, http://dbpedia.org/resource/Effective_mass_%28solid-state_physics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/ZnS +
, http://dbpedia.org/resource/Envelope_%28mathematics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Chemical_bond +
, http://dbpedia.org/resource/Herbert_Kroemer +
, http://dbpedia.org/resource/CdSe +
, http://dbpedia.org/resource/Lasing +
, http://dbpedia.org/resource/Band_structure +
, http://dbpedia.org/resource/Intervalence_charge_transfer +
, http://dbpedia.org/resource/Direct_band_gap +
, http://dbpedia.org/resource/Fast_ion_conductor +
, http://dbpedia.org/resource/Metal-induced_gap_states +
, http://dbpedia.org/resource/Doping_%28semiconductors%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Dipole +
, http://dbpedia.org/resource/Homojunction +
, http://dbpedia.org/resource/London +
, http://dbpedia.org/resource/Boundary_condition +
, http://dbpedia.org/resource/GaAs +
, http://dbpedia.org/resource/Passivation_%28chemistry%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Quantum_well +
, http://dbpedia.org/resource/Laser +
, http://dbpedia.org/resource/2DEG +
, http://dbpedia.org/resource/Van_der_Waals_heterostructures +
, http://dbpedia.org/resource/Molecular_beam_epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_structures +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_hole +
, http://dbpedia.org/resource/Band_bending +
, http://dbpedia.org/resource/Step-index_profile +
, http://dbpedia.org/resource/Diode_laser +
, http://dbpedia.org/resource/File:Straddling_gap_heterojunction_band_diagram.svg +
, http://dbpedia.org/resource/Photocatalysis +
, http://dbpedia.org/resource/Leakage_current +
, http://dbpedia.org/resource/Energy_level +
, http://dbpedia.org/resource/Metal%E2%80%93semiconductor_junction +
|
| http://dbpedia.org/property/border
|
solid 1px #aaa
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Refend +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Cite_book +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Cite_journal +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Center +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Hidden_begin +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Hidden_end +
, http://dbpedia.org/resource/Template:ISBN +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Refbegin +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_structures +
|
| http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
|
http://dbpedia.org/resource/Interface +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Heterojunction?oldid=1088643882&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Fe3O4-CdS_Nano_Heterojunction.jpg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Straddling_gap_heterojunction_band_diagram.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Heterojunction_types.png +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Heterojunction +
|
| owl:sameAs |
http://ko.dbpedia.org/resource/%EC%9D%B4%EC%A2%85%EC%A0%91%ED%95%A9 +
, http://pl.dbpedia.org/resource/Heteroz%C5%82%C4%85cze +
, http://ca.dbpedia.org/resource/Heterouni%C3%B3 +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.030r2y +
, http://de.dbpedia.org/resource/Hetero%C3%BCbergang +
, http://fa.dbpedia.org/resource/%D9%BE%DB%8C%D9%88%D9%86%D8%AF%D9%86%D8%A7%D9%87%D9%85%DA%AF%D9%88%D9%86 +
, http://fr.dbpedia.org/resource/H%C3%A9t%C3%A9rojonction +
, http://es.dbpedia.org/resource/Heterouni%C3%B3n +
, http://dbpedia.org/resource/Heterojunction +
, http://zh.dbpedia.org/resource/%E5%BC%82%E8%B4%A8%E7%BB%93 +
, http://kk.dbpedia.org/resource/%D0%93%D0%B5%D1%82%D0%B5%D1%80_%D3%A9%D1%82%D0%BA%D0%B5%D0%BB%D1%96 +
, http://yago-knowledge.org/resource/Heterojunction +
, http://ru.dbpedia.org/resource/%D0%93%D0%B5%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%BE%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4 +
, http://www.wikidata.org/entity/Q1616270 +
, http://uk.dbpedia.org/resource/%D0%93%D0%B5%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%BE%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D1%96%D0%B4 +
, http://et.dbpedia.org/resource/Heterosiire +
, http://ja.dbpedia.org/resource/%E3%83%98%E3%83%86%E3%83%AD%E6%8E%A5%E5%90%88_%28%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93%29 +
, http://tr.dbpedia.org/resource/Hetero_ba%C4%9Flant%C4%B1 +
, http://it.dbpedia.org/resource/Eterogiunzione +
, https://global.dbpedia.org/id/c4ac +
, http://pt.dbpedia.org/resource/Heterojun%C3%A7%C3%A3o +
, http://hu.dbpedia.org/resource/Hetero%C3%A1tmenet +
|
| rdf:type |
http://dbpedia.org/class/yago/Object100002684 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Whole100003553 +
, http://dbpedia.org/ontology/Software +
, http://dbpedia.org/class/yago/Structure104341686 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatSemiconductorStructures +
, http://dbpedia.org/class/yago/Artifact100021939 +
, http://dbpedia.org/class/yago/YagoGeoEntity +
, http://dbpedia.org/class/yago/YagoPermanentlyLocatedEntity +
, http://dbpedia.org/class/yago/PhysicalEntity100001930 +
|
| rdfs:comment |
이종접합(Heterojunction)은 서로 다른 결정 반도체의 2개의 층 … 이종접합(Heterojunction)은 서로 다른 결정 반도체의 2개의 층 또는 영역 사이의 접점(interface)이다. 이러한 반도체 물질은 동종접합 (homojunction)과는 달리 불균일한 띠틈을 갖는다. 반도체 레이저, 태양 전지 및 트랜지스터(이종 트랜지스터, heterotransistors)를 포함한 많은 반도체 장치 응용 분야에서 전자 에너지 띠를 설계하는 것이 유리하다. 전기 소자에서 다중 헤테로 접합의 조합은 헤테로 구조(heterostructure)라고 부르지만, 두 용어는 일반적으로 상호 교환 가능하게 사용된다. 각각의 물질이 불균등 한 띠틈을 갖는 반도체인지는 상황따라 달라질 수 있다. 특히 전자 특성이 공간 특성에 의존하는 작은 길이의 스케일의 경우에 그렇다. 이형 접합의 보다 현대적인 정의는 금속, 절연물질, 고속 이온 전도체 및 반도체 물질의 결정질 및 비정질 구조를 포함하는 임의의 2개의 고체 상태 물질 사이의 접점이다. 및 비정질 구조를 포함하는 임의의 2개의 고체 상태 물질 사이의 접점이다.
, ヘテロ接合（ヘテロせつごう、英語：heterojunction）とは、異なる半導体同士の接合である。通常は格子整合系または格子定数が近い材料系で作られる。
, Heterozłącze - złącze wytworzone z dwóch t … Heterozłącze - złącze wytworzone z dwóch typów materiałów o różnej wartości przerwy energetycznej po obu stronach złącza. Szeroko wykorzystywane w laserach półprzewodnikowych (diody laserowe). Różnica między homozłączem a heterozłączem polega na tym, że w heterozłączu mamy do czynienia z materiałami o różnej wartości przerwy energetycznej (dodatkowo może występować różny typ przewodnictwa), podczas gdy w homozłączu po obu stronach złącza jest materiał o tej samej wartości przerwy energetycznej, lecz o różnym typie przewodnictwa - np. konwencjonalna dioda. przewodnictwa - np. konwencjonalna dioda.
, Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, e … Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet. Anders als bei einem p-n-Übergang ist hier nicht (nur) die Dotierungsart, sondern die Materialart verschieden. Die Halbleiter besitzen deshalb i. A. eine unterschiedliche Energie der Bandlücke. Heteroübergänge finden sich bei III-V-Halbleitern oder bei II-VI-Halbleitern. Der Nobelpreis für Physik 2000 wurde an Herbert Kroemer und Schores Iwanowitsch Alfjorow für Halbleiter-Heteroübergänge verliehen. für Halbleiter-Heteroübergänge verliehen.
, 异质结（heterojunction）又称异质接面，是一种半导体的特殊pn結，由两层 … 异质结（heterojunction）又称异质接面，是一种半导体的特殊pn結，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。 半导体异质结构（heterostructure）的二极管特性非常接近。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是和光电子元件的关键成分。 异质结是两种不同半导体区域之间的接触面。不同于同质结，组成异质结的这些半导体的材料具有不同的带隙。在许多固态设备应用，如半导体激光器，太阳能电池和晶体管中，异质结通常有利于设计电子能带。尽管异质结和异质结构通常互换使用，但严格意义上在一个设备中将多个异质结合在一起的组合才能称为异质结构。由于要求每种半导体材料都具有不等带隙的要求不是非常严格，尤其是在小长度范围电子特性取决于空间特性。因此，一种更现代的定义是，异质结是任何两种固态材料之间的接触面，这些材料可以是金属，绝缘体，快速离子导体（fast ion conductor）和半导体材料的结晶和无定形结构。快速离子导体（fast ion conductor）和半导体材料的结晶和无定形结构。
, Гетеропереход — контакт двух различных пол … Гетеропереход — контакт двух различных полупроводников. Особенностью зонной диаграммы гетероперехода является скачок края зоны проводимости на стыке (равный разности сродства к электрону в материалах) и скачок края валентной зоны, см. пример на рисунке. Существуют правила построения таких диаграмм. Если полупроводники имеют разные постоянные решётки, возможно создание структур с самоформирующимися квантовыми точками на границе.мирующимися квантовыми точками на границе.
, Heterojunção é usualmente uma junção Semic … Heterojunção é usualmente uma junção Semicondutor-Semicondutor, em que ambos são diferentes e com diferentes caracteristicas e não apenas dopagem distinta. Uma junção Metal-Semicondutor também é chamada de heterojunção. Quando duas heterojunções são do mesmo tipo de condutividade, diz-se que são isótopas, quando são diferentes diz-se anisótopas., quando são diferentes diz-se anisótopas.
, Гетероперехід - контакт між двома різними … Гетероперехід - контакт між двома різними за хімічною будовою матеріалами, зокрема напівпровідниками. Термін вживається на противагу p-n переходу, в якому існує контакт між двома областями одного матеріалу, але з різними домішками, частка яких дуже маленька, тож вони не змінюють зонної структури матеріалу. Гетеропереходи характеризуються зміною положення й ширини забороненої зони при переході від одного напівпровідника до іншого.ході від одного напівпровідника до іншого.
, A heterojunction is an interface between t … A heterojunction is an interface between two layers or regions of dissimilar semiconductors. These semiconducting materials have unequal band gaps as opposed to a homojunction. It is often advantageous to engineer the electronic energy bands in many solid-state device applications, including semiconductor lasers, solar cells and transistors. The combination of multiple heterojunctions together in a device is called a heterostructure, although the two terms are commonly used interchangeably. The requirement that each material be a semiconductor with unequal band gaps is somewhat loose, especially on small length scales, where electronic properties depend on spatial properties. A more modern definition of heterojunction is the interface between any two solid-state materials, including crystawo solid-state materials, including crysta
, Una heterounión es una unión entre dos Semiconductores, cuya banda (banda prohibida) es diferente. Las heterouniones tienen una importancia considerable en la física de semiconductores y en óptica.
, Une hétérojonction est une jonction entre deux semi-conducteurs dont les bandes interdites (gap, en langue anglaise) sont différentes. Les hétérojonctions ont une importance considérable en physique des semi-conducteurs et en optique.
, La eterogiunzione è una giunzione tra mate … La eterogiunzione è una giunzione tra materiali aventi gap energetici diversi. La eterogiunzione presenta, inoltre, differenti barriere di potenziale per gli elettroni e per le lacune, al contrario delle omogiunzioni.Il diagramma a bande di una eterogiunzione è ottenibile rispettando i seguenti vincoli: 1.
* Allineamento dei livelli di Fermi. 2.
* Costanza dell'affinità elettronica. 3.
* Continuità dei livelli energetici di elettrone libero.ei livelli energetici di elettrone libero.
|
| rdfs:label |
Heterounió
, Гетеропереход
, Heterozłącze
, Гетероперехід
, Heteroübergang
, Hétérojonction
, Heterounión
, Heterojunction
, Heterojunção
, ヘテロ接合 (半導体)
, 이종접합
, 异质结
, Eterogiunzione
|
