| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
Chemische bundelepitaxie (CBE) vormt een k … Chemische bundelepitaxie (CBE) vormt een klasse van depositietechnieken voor het maken van dunne lagen bij de productie van halfgeleidersystemen. Deze vorm van epitaxie wordt uitgevoerd in een ultrahoogvacuümsysteem. De reactanten worden aangevoerd als moleculaire bundels van reactieve gassen, doorgaans in de vorm van hydriden of metaal-organische verbindingen. De term CBE wordt vaak gebruikt alsof die uitwisselbaar is met metaal-organische moleculaire bundelepitaxy (MOMBE). De nomenclatuur maakt echter onderscheid tussen die twee processen. CBE in de strikte zin verwijst naar de techniek waarbij beide reactanten worden aangevoerd als gassen.e reactanten worden aangevoerd als gassen.
, Chemical beam epitaxy (CBE) forms an impor … Chemical beam epitaxy (CBE) forms an important class of deposition techniques for semiconductor layer systems, especially III-V semiconductor systems. This form of epitaxial growth is performed in an ultrahigh vacuum system. The reactants are in the form of molecular beams of reactive gases, typically as the hydride or a metalorganic. The term CBE is often used interchangeably with metal-organic molecular beam epitaxy (MOMBE). The nomenclature does differentiate between the two (slightly different) processes, however. When used in the strictest sense, CBE refers to the technique in which both components are obtained from gaseous sources, while MOMBE refers to the technique in which the group III component is obtained from a gaseous source and the group V component from a solid source.the group V component from a solid source.
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/CBE_im1.png?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
3593867
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
12126
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
981523252
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Vacuum +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Thin_film_deposition +
, http://dbpedia.org/resource/Chemical_vapor_deposition +
, http://dbpedia.org/resource/Pyrolysis +
, http://dbpedia.org/resource/Hydride +
, http://dbpedia.org/resource/Molybdenum +
, http://dbpedia.org/resource/Crystal +
, http://dbpedia.org/resource/RHEED +
, http://dbpedia.org/resource/Thermal_energy +
, http://dbpedia.org/resource/File:CBE_im1.png +
, http://dbpedia.org/resource/Torr +
, http://dbpedia.org/resource/Thin-film_deposition +
, http://dbpedia.org/resource/Transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Chemical_kinetics +
, http://dbpedia.org/resource/Molecular_beam_epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Adsorbtion +
, http://dbpedia.org/resource/Arsenic +
, http://dbpedia.org/resource/Compound_semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Carbon +
, http://dbpedia.org/resource/Metalorganic +
, http://dbpedia.org/resource/Epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Liquid_nitrogen +
, http://dbpedia.org/resource/Metalorganics +
, http://dbpedia.org/resource/Crystal_structure +
, http://dbpedia.org/resource/MOVPE +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor_device_fabrication +
, http://dbpedia.org/resource/Tantalum +
, http://dbpedia.org/resource/Group_V_elements +
, http://dbpedia.org/resource/Alkyls +
, http://dbpedia.org/resource/File:CBE_im2.png +
, http://dbpedia.org/resource/Group_III_elements +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_growth +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium +
, http://dbpedia.org/resource/Evaporation +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium +
, http://dbpedia.org/resource/Viscosity +
, http://dbpedia.org/resource/Phosphorus +
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_growth +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Thin_film_deposition +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_beam_epitaxy?oldid=981523252&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/CBE_im2.png +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/CBE_im1.png +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_beam_epitaxy +
|
| owl:sameAs |
https://global.dbpedia.org/id/4hxxC +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.09nn8g +
, http://dbpedia.org/resource/Chemical_beam_epitaxy +
, http://www.wikidata.org/entity/Q5090443 +
, http://nl.dbpedia.org/resource/Chemische_bundelepitaxie +
, http://yago-knowledge.org/resource/Chemical_beam_epitaxy +
|
| rdfs:comment |
Chemische bundelepitaxie (CBE) vormt een k … Chemische bundelepitaxie (CBE) vormt een klasse van depositietechnieken voor het maken van dunne lagen bij de productie van halfgeleidersystemen. Deze vorm van epitaxie wordt uitgevoerd in een ultrahoogvacuümsysteem. De reactanten worden aangevoerd als moleculaire bundels van reactieve gassen, doorgaans in de vorm van hydriden of metaal-organische verbindingen. De term CBE wordt vaak gebruikt alsof die uitwisselbaar is met metaal-organische moleculaire bundelepitaxy (MOMBE). De nomenclatuur maakt echter onderscheid tussen die twee processen. CBE in de strikte zin verwijst naar de techniek waarbij beide reactanten worden aangevoerd als gassen.e reactanten worden aangevoerd als gassen.
, Chemical beam epitaxy (CBE) forms an impor … Chemical beam epitaxy (CBE) forms an important class of deposition techniques for semiconductor layer systems, especially III-V semiconductor systems. This form of epitaxial growth is performed in an ultrahigh vacuum system. The reactants are in the form of molecular beams of reactive gases, typically as the hydride or a metalorganic. The term CBE is often used interchangeably with metal-organic molecular beam epitaxy (MOMBE). The nomenclature does differentiate between the two (slightly different) processes, however. When used in the strictest sense, CBE refers to the technique in which both components are obtained from gaseous sources, while MOMBE refers to the technique in which the group III component is obtained from a gaseous source and the group V component from a solid source.the group V component from a solid source.
|
| rdfs:label |
Chemische bundelepitaxie
, Chemical beam epitaxy
|
