| http://dbpedia.org/ontology/abstract
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Avalanche Photo Diode (APD) är en halvleda … Avalanche Photo Diode (APD) är en halvledarbasered fotodetektor som omvandlar ljus till elektricitet. APD:ns fördel framför andra fotodetektorer är att den har en högre respons, det vill säga att den ger ifrån sig mer ström än en vanlig fotodetektor vid samma ljusintensitet. APD:n har ett starkt internt elektriskt fält som accelererar fria elektroner vilka genererats av det infallande ljuset. Om fältet är tillräckligt starkt får elektronerna tillräcklig energi för att frigöra ytterligare elektroner i en impakt joniseringsprocess. Både den gamla och den nya elektronen accelereras på nytt och slår loss ytterligare elektroner i en lavinprocess. Indium-galliumarsenidbaserade APD:er används bland annat i fiberoptiska nät för data- och telekommunikation över långa avstånd, typiskt längre än 40 km.er långa avstånd, typiskt längre än 40 km.
, Avalanche-Photodioden bzw. Lawinenphotodio … Avalanche-Photodioden bzw. Lawinenphotodioden (englisch avalanche photodiode, APD), sind hochempfindliche, schnelle Photodioden und zählen zu den Avalanche-Dioden. Sie nutzen den inneren photoelektrischen Effekt zur Ladungsträgererzeugung und den Lawinendurchbruch (Avalanche-Effekt) zur internen Verstärkung. Sie können als das Halbleiteräquivalent zum Photomultiplier betrachtet werden und finden Anwendung bei der Detektierung sehr geringer Strahlungsleistungen, bis hin zu einzelnen Photonen, mit erreichbaren Grenzfrequenzen bis in den Gigahertz-Bereich. Die höchste spektrale Empfindlichkeit liegt dabei je nach verwendetem Material in einem Bereich von ca. 250–1700 nm, wobei von einem Diodentyp immer nur ein Teilbereich abgedeckt werden kann. Eine Mischung aus Photomultipliern und Avalanche-Photodioden stellen Hybridphotodetektoren dar.odioden stellen Hybridphotodetektoren dar.
, Lavinová fotodioda je velmi citlivý polovo … Lavinová fotodioda je velmi citlivý polovodičový fotodetektor. Při použití bývá předepnuta vysokým závěrným napětím řádu desítek až stovek voltů, často těsně pod průrazovým napětím, což umožňuje dosáhnout zisku okolo 100 až 1000. V tomto režimu jsou elektrony a díry excitované dopadem fotonů urychlovány silným vnitřním elektrickým polem a podobně jako ve fotonásobičích generují další nosiče, vzniká lavinový jev. Lavinová fotodioda. Používá se v aplikacích, kde je třeba velké citlivosti, například v optických komunikacích na dlouhé vzdálenosti, pro optické měření vzdáleností, či také v pozitronové emisní tomografii a fyzice částic.tronové emisní tomografii a fyzice částic.
, Los fotodiodos de avalancha (APDs) son fot … Los fotodiodos de avalancha (APDs) son fotodetectores que se pueden considerar como el equivalente semiconductor de los fotomultiplicadores. Aplicando un alto voltaje en inversa (típicamente 100-200 V en silicio), los APD muestran un efecto interno de ganancia de corriente (aproximadamente 100) debido a la (Efecto avalancha). Sin embargo, algunos APD de silicio emplean un dopaje alternativo y otras técnicas que permiten aplicar un voltaje mayor (> 1500 V) antes de alcanzar el efecto de avalancha y, por tanto, una ganancia mayor (> 1000). En general, cuanto mayor es el voltaje en inversa, mayor es la ganancia. Entre las distintas expresiones para el factor de multiplicación de los APD (M), una expresión instructiva viene dada por la fórmula donde L es el límite del espacio de carga para los electrones y es el coeficiente de multiplicación de los electrones (y agujeros). Este coeficiente tiene una fuerte dependencia de la intensidad del campo eléctrico aplicado, de la temperatura, y del perfil de dopaje. Puesto que la ganancia de los APD varía fuertemente con la tensión en inversa aplicada y con la temperatura, es necesario controlar esta tensión en inversa para obtener un valor estable de ganancia. Los fotodiodos de avalancha son, por lo tanto, más sensibles que otros fotodiodos semiconductores. Si se requiere una ganancia muy alta (de 105 a 106), algunos APDs pueden operar con una tensión en inversa por encima de la tensión de ruptura. En este caso, el APD necesita tener la corriente limitada y disminuida rápidamente. Se han utilizado técnicas activas y pasivas de control de intensidad con este propósito. Los APD que operan en este régimen de ganancia están en modo Geiger. Este modo es particularmente útil para la detección de fotones aislados suponiendo que la corriente de oscuridad sea lo suficientemente baja. Formando una matriz con centenares o miles de APDs se construye un fotomultiplicador de silicio. Una aplicación típica de los APD es el y la telecomunicación de larga distancia por fibra óptica. Nuevas aplicaciones incluyen la tomografía por emisión de positrones, la física de partículas [1] y la física de astropartículas. Los arrays de APD están empezando a estar disponibles comercialmente. La utilidad y aplicabilidad de los APD depende de muchos parámetros. Algunos de los más importantes son: eficiencia cuántica, que es un indicador de cuánto son absorbidos los fotones incidentes y usados para generar portadoras de carga primarias, la corriente total de fugas, que es la suma de la corriente de oscuridad, fotocorriente y ruido de oscuridad. Las componentes del ruido de oscuridad electrónico están en serie y en paralelo. El ruido en serie, que es el efecto del ruido de disparo, es proporcional a la capacitancia del APD, mientras que el ruido en paralelo se asocia con las fluctuaciones de la corriente de superficie. Otra fuente de ruido es el exceso del factor de ruido (F). Describe el ruido estadísticamente inherente al proceso de multiplicación estocástico del APD.eso de multiplicación estocástico del APD.
, An avalanche photodiode (APD) is a highly … An avalanche photodiode (APD) is a highly sensitive semiconductor photodiode detector that exploits the photoelectric effect to convert light into electricity. From a functional standpoint, they can be regarded as the semiconductor analog of photomultiplier tubes. The avalanche photodiode (APD) was invented by Japanese engineer Jun-ichi Nishizawa in 1952. However, study of avalanche breakdown, microplasma defects in silicon and germanium and the investigation of optical detection using p-n junctions predate this patent. Typical applications for APDs are laser rangefinders, long-range fiber-optic telecommunication, and quantum sensing for control algorithms. New applications include positron emission tomography and particle physics. It was discovered in 2020 that adding graphene layer can prevent degradation over time to keep avalanche photodiodes like new, which is important in shrinking their size and costs for many diverse applications & bringing devices out of vacuum tubes into digital age.ices out of vacuum tubes into digital age.
, Un fotodiodo a valanga, brevemente detto A … Un fotodiodo a valanga, brevemente detto APD (dall'inglese Avalanche PhotoDiode), è un particolare tipo di fotodiodo che funziona come sensore ottico in grado di riconoscere una determinata lunghezza d'onda e di trasformare questo evento in un segnale elettrico di corrente amplificandolo al suo interno. Dal punto di vista circuitale, il fotodiodo a valanga è quasi identico al fotodiodo. I fotodiodi a valanga sono utilizzati come trasduttori di destinazione nelle fibre ottiche. Essi in questi casi generano correnti proporzionali al numero di fotoni che arriva dalla fibra ottica.o di fotoni che arriva dalla fibra ottica.
, 雪崩光电二极管(APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二极体)是一种半导体光检测器，其 … 雪崩光电二极管(APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二极体)是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术，允许加上更高的电压(>1500 V)而不致击穿，从而可获得更大的增益(>1000)。一般来说，反向电压越高，增益就越大。APD倍增因子M的计算公式很多，一个常用的公式为 其中L是电子的空间电荷区的长度，而是电子和空穴的倍增系数，该系数取决于场强、温度、掺杂浓度等因素。由于APD的增益与反向偏置和温度的关系很大，因此有必要对反向偏置电压进行控制，以保持增益的稳定。雪崩光电二极管的灵敏度高于其它半导体光电二极管。 为获得更高的增益（105–106），某些APD可以工作在反向电压超出击穿电压的区域。此时，必须对APD的信号电流加以限制并迅速将其清为零，为此可采用各种主动或被动的电流清零技术。这种高增益的工作方式称为Geiger方式，它特别适用于对单个光子的检测，只要暗计数率足够低。 APD主要用于和长距离光纤通信，此外也开始被用于正电子断层摄影和粒子物理等领域 [1]。APD阵列也已被商业化。 APD的用途取决于许多性能指标。主要的几个性能指标为量子效率（表示APD吸收入射光子并产生原始载流子的效率）和总漏电流（为暗电流、光电流与噪声之和）。暗电噪声包括串联和并联噪声，其中串联噪声为霰彈噪声，它大致正比于APD的电容，而并联噪声则与APD的体暗电流和表面暗电流的波动有关。此外，还存在用噪声系数F表示的超额噪声，它是随机的APD倍增过程中所固有的统计噪声。此外，还存在用噪声系数F表示的超额噪声，它是随机的APD倍增过程中所固有的统计噪声。
, Лави́нные фотодио́ды (ЛФД; англ. avalanche … Лави́нные фотодио́ды (ЛФД; англ. avalanche photodiode — APD) — высокочувствительные полупроводниковые приборы, преобразующие свет в электрический сигнал за счёт фотоэффекта. Их можно рассматривать в качестве фотоприёмников, обеспечивающих внутреннее усиление посредством эффекта лавинного умножения. С функциональной точки зрения они являются твердотельными аналогами фотоумножителей. Лавинные фотодиоды обладают большей чувствительностью по сравнению с другими полупроводниковыми фотоприёмниками, что позволяет использовать их для регистрации малых световых мощностей (≲ 1 нВт).трации малых световых мощностей (≲ 1 нВт).
, Fotodioda lawinowa – rodzaj fotodiody, ele … Fotodioda lawinowa – rodzaj fotodiody, element półprzewodnikowy oparty na złączu p-n z warstwą zaporową. Podobnie jak w zwykłej fotodiodzie, w wyniku zjawiska fotowoltaicznego, oświetlone złącze p-n staje się źródłem siły elektromotorycznej lub fotoprądu. Wydajność takiego źródła jest jednak niewielka. Sytuacja zmienia się jednak diametralnie, gdy to samo złącze zostanie spolaryzowane odpowiednio wysokim napięciem wstecznym (przeciwnie do kierunku przewodzenia diody). W powstałym w wyniku polaryzacji złącza polu elektrycznym uwolnione fotoelektrony są przyspieszane i powodują wybijanie kolejnych elektronów - ich liczba rośnie lawinowo (stąd nazwa diody). Pierwotny fotoprąd zostaje w ten sposób wzmocniony od kilku do kilku milionów razy (zależnie od przyłożonego napięcia). Fotodiody lawinowe o najwyższym wzmocnieniu pozwalają na wykrywanie pojedynczych fotonów - wymaga to spolaryzowania złącza wysokim napięciem, powyżej napięcia przebicia, typowo powyżej 1000 V. Fotodiody takie są nazywane jednofotonowymi (ang. Single-Photon Avalanche Diode - SPAD). W zwykłych fotodiodach lawinowych (Avalanche Photo-Diode - APD) maksymalne napięcie polaryzacji leży nieznacznie poniżej napięcia przebicia, zaś osiągane wzmocnienie nie przekracza 1000. Fotodiody lawinowe są półprzewodnikowymi detektorami światła o najwyższej czułości a przy tym są znacznie mniejsze i wygodniejsze w użyciu, niż równie czułe fotopowielacze. Fotodiody lawinowe, szczególnie przy dużym wzmocnieniu, są bardzo czułe na różnice napięcia i temperatury, w związku z czym wymagają precyzyjnych układów zasilających i kompensacji temperatury.ów zasilających i kompensacji temperatury.
, アバランシェフォトダイオード（英: avalanche photodiode）とは、 … アバランシェフォトダイオード（英: avalanche photodiode）とは、アバランシェ増倍と呼ばれる現象を利用して受光感度を上昇させたフォトダイオードである。略称はAPD。 半導体中に大きな電場があると、光子の衝突によって発生する電子が加速され、他の半導体原子と衝突して複数の電子を弾き出す。ここで弾き出された電子は電場によって加速され、他の半導体原子に衝突してさらに電子を弾き出す。この連鎖によって、移動する電子が爆発的に増える現象をアバランシェ増幅と呼ぶ。 アバランシェ増幅によって微弱な光でも大きな電位変化を引き起こせるため、フォトダイオードの受光感度を大きく上昇させることが可能になる。一般のフォトダイオードの価格が数百円～であるのに対し、従来100万円以上と非常に高価であったが最近になって1万円程度の物も販売されている（2007年4月）。 ちなみに、アバランシェとは雪崩のこと。 主要なメーカーには浜松ホトニクス、、松定プレシジョンなどが挙げられる。雪崩のこと。 主要なメーカーには浜松ホトニクス、、松定プレシジョンなどが挙げられる。
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, http://www.excelitas.com/downloads/app_lownoiseopticalreceiverusingsiapd.pdf +
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Lavinová fotodioda je velmi citlivý polovo … Lavinová fotodioda je velmi citlivý polovodičový fotodetektor. Při použití bývá předepnuta vysokým závěrným napětím řádu desítek až stovek voltů, často těsně pod průrazovým napětím, což umožňuje dosáhnout zisku okolo 100 až 1000. V tomto režimu jsou elektrony a díry excitované dopadem fotonů urychlovány silným vnitřním elektrickým polem a podobně jako ve fotonásobičích generují další nosiče, vzniká lavinový jev. Lavinová fotodioda., vzniká lavinový jev. Lavinová fotodioda.
, Avalanche Photo Diode (APD) är en halvleda … Avalanche Photo Diode (APD) är en halvledarbasered fotodetektor som omvandlar ljus till elektricitet. APD:ns fördel framför andra fotodetektorer är att den har en högre respons, det vill säga att den ger ifrån sig mer ström än en vanlig fotodetektor vid samma ljusintensitet. Indium-galliumarsenidbaserade APD:er används bland annat i fiberoptiska nät för data- och telekommunikation över långa avstånd, typiskt längre än 40 km.er långa avstånd, typiskt längre än 40 km.
, Los fotodiodos de avalancha (APDs) son fot … Los fotodiodos de avalancha (APDs) son fotodetectores que se pueden considerar como el equivalente semiconductor de los fotomultiplicadores. Aplicando un alto voltaje en inversa (típicamente 100-200 V en silicio), los APD muestran un efecto interno de ganancia de corriente (aproximadamente 100) debido a la (Efecto avalancha). Sin embargo, algunos APD de silicio emplean un dopaje alternativo y otras técnicas que permiten aplicar un voltaje mayor (> 1500 V) antes de alcanzar el efecto de avalancha y, por tanto, una ganancia mayor (> 1000). En general, cuanto mayor es el voltaje en inversa, mayor es la ganancia. Entre las distintas expresiones para el factor de multiplicación de los APD (M), una expresión instructiva viene dada por la fórmulasión instructiva viene dada por la fórmula
, Лави́нные фотодио́ды (ЛФД; англ. avalanche … Лави́нные фотодио́ды (ЛФД; англ. avalanche photodiode — APD) — высокочувствительные полупроводниковые приборы, преобразующие свет в электрический сигнал за счёт фотоэффекта. Их можно рассматривать в качестве фотоприёмников, обеспечивающих внутреннее усиление посредством эффекта лавинного умножения. С функциональной точки зрения они являются твердотельными аналогами фотоумножителей. Лавинные фотодиоды обладают большей чувствительностью по сравнению с другими полупроводниковыми фотоприёмниками, что позволяет использовать их для регистрации малых световых мощностей (≲ 1 нВт).трации малых световых мощностей (≲ 1 нВт).
, Fotodioda lawinowa – rodzaj fotodiody, ele … Fotodioda lawinowa – rodzaj fotodiody, element półprzewodnikowy oparty na złączu p-n z warstwą zaporową. Podobnie jak w zwykłej fotodiodzie, w wyniku zjawiska fotowoltaicznego, oświetlone złącze p-n staje się źródłem siły elektromotorycznej lub fotoprądu. Wydajność takiego źródła jest jednak niewielka. Sytuacja zmienia się jednak diametralnie, gdy to samo złącze zostanie spolaryzowane odpowiednio wysokim napięciem wstecznym (przeciwnie do kierunku przewodzenia diody). W powstałym w wyniku polaryzacji złącza polu elektrycznym uwolnione fotoelektrony są przyspieszane i powodują wybijanie kolejnych elektronów - ich liczba rośnie lawinowo (stąd nazwa diody). Pierwotny fotoprąd zostaje w ten sposób wzmocniony od kilku do kilku milionów razy (zależnie od przyłożonego napięcia). razy (zależnie od przyłożonego napięcia).
, 雪崩光电二极管(APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二极体)是一种半导体光检测器，其 … 雪崩光电二极管(APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二极体)是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术，允许加上更高的电压(>1500 V)而不致击穿，从而可获得更大的增益(>1000)。一般来说，反向电压越高，增益就越大。APD倍增因子M的计算公式很多，一个常用的公式为 其中L是电子的空间电荷区的长度，而是电子和空穴的倍增系数，该系数取决于场强、温度、掺杂浓度等因素。由于APD的增益与反向偏置和温度的关系很大，因此有必要对反向偏置电压进行控制，以保持增益的稳定。雪崩光电二极管的灵敏度高于其它半导体光电二极管。 为获得更高的增益（105–106），某些APD可以工作在反向电压超出击穿电压的区域。此时，必须对APD的信号电流加以限制并迅速将其清为零，为此可采用各种主动或被动的电流清零技术。这种高增益的工作方式称为Geiger方式，它特别适用于对单个光子的检测，只要暗计数率足够低。 APD主要用于和长距离光纤通信，此外也开始被用于正电子断层摄影和粒子物理等领域 [1]。APD阵列也已被商业化。信，此外也开始被用于正电子断层摄影和粒子物理等领域 [1]。APD阵列也已被商业化。
, Avalanche-Photodioden bzw. Lawinenphotodio … Avalanche-Photodioden bzw. Lawinenphotodioden (englisch avalanche photodiode, APD), sind hochempfindliche, schnelle Photodioden und zählen zu den Avalanche-Dioden. Sie nutzen den inneren photoelektrischen Effekt zur Ladungsträgererzeugung und den Lawinendurchbruch (Avalanche-Effekt) zur internen Verstärkung. Sie können als das Halbleiteräquivalent zum Photomultiplier betrachtet werden und finden Anwendung bei der Detektierung sehr geringer Strahlungsleistungen, bis hin zu einzelnen Photonen, mit erreichbaren Grenzfrequenzen bis in den Gigahertz-Bereich. Die höchste spektrale Empfindlichkeit liegt dabei je nach verwendetem Material in einem Bereich von ca. 250–1700 nm, wobei von einem Diodentyp immer nur ein Teilbereich abgedeckt werden kann. Eine Mischung aus Photomultipliern und Avalancheischung aus Photomultipliern und Avalanche
, Un fotodiodo a valanga, brevemente detto A … Un fotodiodo a valanga, brevemente detto APD (dall'inglese Avalanche PhotoDiode), è un particolare tipo di fotodiodo che funziona come sensore ottico in grado di riconoscere una determinata lunghezza d'onda e di trasformare questo evento in un segnale elettrico di corrente amplificandolo al suo interno. Dal punto di vista circuitale, il fotodiodo a valanga è quasi identico al fotodiodo. I fotodiodi a valanga sono utilizzati come trasduttori di destinazione nelle fibre ottiche. Essi in questi casi generano correnti proporzionali al numero di fotoni che arriva dalla fibra ottica.o di fotoni che arriva dalla fibra ottica.
, An avalanche photodiode (APD) is a highly … An avalanche photodiode (APD) is a highly sensitive semiconductor photodiode detector that exploits the photoelectric effect to convert light into electricity. From a functional standpoint, they can be regarded as the semiconductor analog of photomultiplier tubes. The avalanche photodiode (APD) was invented by Japanese engineer Jun-ichi Nishizawa in 1952. However, study of avalanche breakdown, microplasma defects in silicon and germanium and the investigation of optical detection using p-n junctions predate this patent. Typical applications for APDs are laser rangefinders, long-range fiber-optic telecommunication, and quantum sensing for control algorithms. New applications include positron emission tomography and particle physics. It was discovered in 2020 that adding graphene layer can pd in 2020 that adding graphene layer can p
, アバランシェフォトダイオード（英: avalanche photodiode）とは、 … アバランシェフォトダイオード（英: avalanche photodiode）とは、アバランシェ増倍と呼ばれる現象を利用して受光感度を上昇させたフォトダイオードである。略称はAPD。 半導体中に大きな電場があると、光子の衝突によって発生する電子が加速され、他の半導体原子と衝突して複数の電子を弾き出す。ここで弾き出された電子は電場によって加速され、他の半導体原子に衝突してさらに電子を弾き出す。この連鎖によって、移動する電子が爆発的に増える現象をアバランシェ増幅と呼ぶ。 アバランシェ増幅によって微弱な光でも大きな電位変化を引き起こせるため、フォトダイオードの受光感度を大きく上昇させることが可能になる。一般のフォトダイオードの価格が数百円～であるのに対し、従来100万円以上と非常に高価であったが最近になって1万円程度の物も販売されている（2007年4月）。 ちなみに、アバランシェとは雪崩のこと。 主要なメーカーには浜松ホトニクス、、松定プレシジョンなどが挙げられる。雪崩のこと。 主要なメーカーには浜松ホトニクス、、松定プレシジョンなどが挙げられる。
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| rdfs:label |
Avalanche-Photodiode
, Lavinová fotodioda
, Fotodiodo de avalancha
, 雪崩光電二極管
, Fotodioda lawinowa
, Лавинный фотодиод
, アバランシェフォトダイオード
, Fotodiodo a valanga
, Avalanche Photo Diode
, Avalanche photodiode
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