| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
La corrente di saturazione o, più propriam … La corrente di saturazione o, più propriamente, corrente di saturazione inversa, è la corrente che viene visualizzata nel grafico della caratteristica tensione-corrente quando il diodo (reale) viene sottoposto ad una tensione inferiore a 0 e quindi alimentato inversamente. Questa corrente è molto piccola (nell'ordine dei nano-ampere) finché non si raggiunge una tensione negativa denominata di "Breakdown", ove la corrente sale improvvisamente. C'è da specificare che alle volte la tensione di breakdown può essere di centinaia o migliaia di volt e il raggiungimento di tale tensione inversa può causare la rottura fisica del componente. causare la rottura fisica del componente.
, La corriente de saturación, es aquella par … La corriente de saturación, es aquella parte de la corriente inversa en un diodo semiconductor, causado por la difusión de la minoría de los portadores de regiones neutrales a la región de agotamiento. Esta corriente es casi independiente de la tensión inversa. (Steadman 1993, 459) IS, la polarización inversa de saturación de la corriente para un ideal p–n del diodo, está dada por (Schubert 2006, 61): Donde: e es la carga elemental.A es el área de sección transversal.Dp,n son los coeficientes de difusión de huecos y electrones, respectivamente,ND, son el donante y aceptor de las concentraciones en el lado n y lado p, respectivamente,ni es el valor intrínseco del portador de la concentración en el material semiconductor,el portador 'viviente' de huecos y electrones, respectivamente. Debe tenerse en cuenta que la saturación de la corriente no es una constante para un determinado dispositivo, sino que varía con la temperatura; esta variación es la dominante terminal en el coeficiente de temperatura para un diodo. Una regla común es que se duplica por cada 10 °C de aumento en la temperatura. (Bogart 1986, 40)mento en la temperatura. (Bogart 1986, 40)
, تيار التشبع أو بصورة أدق تيار التشبع العكسي , هو جزء من التيار العكسي الناتج من الصمام الثنائي شبه الموصل, وينتج عن انتقال حاملات الشحنة من المناطق المحايدة إلي مناطق الإنخفاض .
, 饱和电流，或者更精确的说，反向饱和电流是半导体二极管中由少数载流子从中立区到耗尽层或 … 饱和电流，或者更精确的说，反向饱和电流是半导体二极管中由少数载流子从中立区到耗尽层或耗尽区的扩散引起的那部分反向电流。反向饱和电流几乎不受反向电压的影响。(1，Steadman 1993, 459) IS，一个理想p-n二极管的反向偏置饱和电流由下式(2，Schubert 2006, 61)给出: 其中，IS 是反向偏置饱和电流，e 是基本电荷，A 是横截面积，Dp,n 分别是空穴和电子的扩散系数，ND,A 分别是施主和受主在n侧和p侧的浓度，ni 是半导体材料的本征载流子浓度，分别是空穴和电子的载流子寿命。 從本徵半導體濃度與二極體障壁電壓的關係，飽和電流可以改寫成： 這裡的k 是波茲曼常數，約為8.617 343(15)×10−5 eV/K，T 是絕對溫度，VB 是二極體的障壁電壓。 需要注意的是，一个给定器件的饱和电流不是一个常数；它随温度而变化；当温度作为二极管特性的參数时，饱和电流是造成二极管变化的主要因素。一個普遍的经验是温度每升高10°C，饱和电流變為原來的2倍。(3，Bogart 1986, 40) 一個更為理想的關係是 其中的Eg 是半導體的能隙， 是二極體的理想因子。, 40) 一個更為理想的關係是 其中的Eg 是半導體的能隙， 是二極體的理想因子。
, The saturation current (or scale current), … The saturation current (or scale current), more accurately the reverse saturation current, is the part of the reverse current in a semiconductor diode caused by diffusion of minority carriers from the neutral regions to the depletion region. This current is almost independent of the reverse voltage. IS, the reverse bias saturation current for an ideal p–n diode, is given by: where e is elementary chargeA is the cross-sectional areaDp, Dn are the diffusion coefficients of holes and electrons, respectively,ND, NA are the donor and acceptor concentrations at the n side and p side, respectively,ni is the intrinsic carrier concentration in the semiconductor material, are the carrier lifetimes of holes and electrons, respectively. Increase in reverse bias does not allow the majority charge carriers to diffuse across the junction. However, this potential helps some minority charge carriers in crossing the junction. Since the minority charge carriers in the n-region and p-region are produced by thermally generated electron-hole pairs, these minority charge carriers are extremely temperature dependent and independent of the applied bias voltage. The applied bias voltage acts as a forward bias voltage for these minority charge carriers and a current of small magnitude flows in the external circuit in the direction opposite to that of the conventional current due to the moment of majority charge carriers. Note that the saturation current is not a constant for a given device; it varies with temperature; this variance is the dominant term in the temperature coefficient for a diode. A common rule of thumb is that it doubles for every 10 °C rise in temperature.ubles for every 10 °C rise in temperature.
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
1871122
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
2712
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1124357297
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Charge_carrier +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Elementary_charge +
, http://dbpedia.org/resource/Diffusion_coefficient +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Diodes +
, http://dbpedia.org/resource/Diode +
, http://dbpedia.org/resource/Depletion_region +
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Nbsp +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Diodes +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Saturation_current?oldid=1124357297&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Saturation_current +
|
| owl:sameAs |
http://dbpedia.org/resource/Saturation_current +
, http://www.wikidata.org/entity/Q3694418 +
, http://es.dbpedia.org/resource/Corriente_de_saturaci%C3%B3n +
, http://ca.dbpedia.org/resource/Corrent_de_saturaci%C3%B3 +
, https://global.dbpedia.org/id/3QhXc +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.062mjf +
, http://ar.dbpedia.org/resource/%D8%AA%D9%8A%D8%A7%D8%B1_%D8%A7%D9%84%D8%AA%D8%B4%D8%A8%D8%B9 +
, http://it.dbpedia.org/resource/Corrente_di_saturazione_inversa +
, http://fa.dbpedia.org/resource/%D8%AC%D8%B1%DB%8C%D8%A7%D9%86_%D8%A7%D8%B4%D8%A8%D8%A7%D8%B9_%D9%85%D8%B9%DA%A9%D9%88%D8%B3 +
, http://yago-knowledge.org/resource/Saturation_current +
, http://zh.dbpedia.org/resource/%E9%A5%B1%E5%92%8C%E7%94%B5%E6%B5%81 +
|
| rdf:type |
http://dbpedia.org/class/yago/Diode103202940 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Instrumentality103575240 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Tube104494204 +
, http://dbpedia.org/class/yago/PhysicalEntity100001930 +
, http://dbpedia.org/class/yago/ElectronicDevice103277771 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatDiodes +
, http://dbpedia.org/class/yago/Object100002684 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Device103183080 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Artifact100021939 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Whole100003553 +
|
| rdfs:comment |
饱和电流，或者更精确的说，反向饱和电流是半导体二极管中由少数载流子从中立区到耗尽层或 … 饱和电流，或者更精确的说，反向饱和电流是半导体二极管中由少数载流子从中立区到耗尽层或耗尽区的扩散引起的那部分反向电流。反向饱和电流几乎不受反向电压的影响。(1，Steadman 1993, 459) IS，一个理想p-n二极管的反向偏置饱和电流由下式(2，Schubert 2006, 61)给出: 其中，IS 是反向偏置饱和电流，e 是基本电荷，A 是横截面积，Dp,n 分别是空穴和电子的扩散系数，ND,A 分别是施主和受主在n侧和p侧的浓度，ni 是半导体材料的本征载流子浓度，分别是空穴和电子的载流子寿命。 從本徵半導體濃度與二極體障壁電壓的關係，飽和電流可以改寫成： 這裡的k 是波茲曼常數，約為8.617 343(15)×10−5 eV/K，T 是絕對溫度，VB 是二極體的障壁電壓。 需要注意的是，一个给定器件的饱和电流不是一个常数；它随温度而变化；当温度作为二极管特性的參数时，饱和电流是造成二极管变化的主要因素。一個普遍的经验是温度每升高10°C，饱和电流變為原來的2倍。(3，Bogart 1986, 40) 一個更為理想的關係是 其中的Eg 是半導體的能隙， 是二極體的理想因子。, 40) 一個更為理想的關係是 其中的Eg 是半導體的能隙， 是二極體的理想因子。
, La corriente de saturación, es aquella par … La corriente de saturación, es aquella parte de la corriente inversa en un diodo semiconductor, causado por la difusión de la minoría de los portadores de regiones neutrales a la región de agotamiento. Esta corriente es casi independiente de la tensión inversa. (Steadman 1993, 459) IS, la polarización inversa de saturación de la corriente para un ideal p–n del diodo, está dada por (Schubert 2006, 61): Donde: está dada por (Schubert 2006, 61): Donde:
, The saturation current (or scale current), … The saturation current (or scale current), more accurately the reverse saturation current, is the part of the reverse current in a semiconductor diode caused by diffusion of minority carriers from the neutral regions to the depletion region. This current is almost independent of the reverse voltage. IS, the reverse bias saturation current for an ideal p–n diode, is given by: wherefor an ideal p–n diode, is given by: where
, La corrente di saturazione o, più propriam … La corrente di saturazione o, più propriamente, corrente di saturazione inversa, è la corrente che viene visualizzata nel grafico della caratteristica tensione-corrente quando il diodo (reale) viene sottoposto ad una tensione inferiore a 0 e quindi alimentato inversamente. Questa corrente è molto piccola (nell'ordine dei nano-ampere) finché non si raggiunge una tensione negativa denominata di "Breakdown", ove la corrente sale improvvisamente. C'è da specificare che alle volte la tensione di breakdown può essere di centinaia o migliaia di volt e il raggiungimento di tale tensione inversa può causare la rottura fisica del componente. causare la rottura fisica del componente.
, تيار التشبع أو بصورة أدق تيار التشبع العكسي , هو جزء من التيار العكسي الناتج من الصمام الثنائي شبه الموصل, وينتج عن انتقال حاملات الشحنة من المناطق المحايدة إلي مناطق الإنخفاض .
|
| rdfs:label |
Corriente de saturación
, Saturation current
, Corrente di saturazione inversa
, تيار التشبع
, 饱和电流
, Corrent de saturació
|
