| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
SU-8 ist ein Fotolack der Firma Microchem … SU-8 ist ein Fotolack der Firma Microchem Corp. und gehört zu der Gruppe der Negativ-Fotolack. Wie die meisten Fotolacke besteht SU-8 aus den drei Bestandteilen Grundharz, Lösungsmittel und fotoempfindlicher Komponente. Zum Einsatz kommt SU-8 meist in der Mikrosystemtechnik bei Ultraviolett-LIGA-Verfahren. Das Grundharz ist in diesem Fall EPON-Resin, ein Epoxidharz der Firma Shell Chemical, das insgesamt acht Epoxygruppen im Molekül aufweist. EPON besteht aus einem Glycidylether Abkömmling von Bisphenol A. Je nach Ausführung des Lackes kann dieses Grundharz in unterschiedlichen Lösungsmitteln gelöst werden. In der Standardausführung dient γ-Butyrolacton (GBL) als Lösungsmittel, die modernere Ausführung SU-8 2000 enthält dagegen Cyclopentanon. Die fotoempfindliche Komponente von SU-8 wirkt, im Gegensatz zu anderen (Positiv-)Fotolacken, nur indirekt auf die Löslichkeit des Resists. Als photoempfindliche Komponente wird dem Lack ein Fotoinitiators (auch englisch Photo Acid Generator oder PAG genannt) hinzugefügt. Es handelt sich dabei um ein Triarylsulfoniumhexafluorantimonat zu ca. 10 Gew.%. Triarylsulfoniumhexafluoroantimonat ist eine Lewis-Säure, die unter Einwirkung von UV-Licht eine Kettenreaktion im Photolack in Gang setzt. In der Folge dieser Kettenreaktion werden Wasserstoffionen vom EPON-Molekül abgetrennt und über die freiwerdenden Bindungsstellen kommt es zu einer Quervernetzung der Lackmoleküle, dem sogenannten Curing. SU-8 ist in verschiedenen Viskositäten verfügbar, welche durch den Anteil des Lösungsmittels im Resist gesteuert werden. Die Viskosität legt auch den Bereich der Schichtdicke fest, der mit dem Resist erreicht werden soll. Dabei dient die Schichtdicke in µm, die bei einer Drehzahl von 3000 min−1 erreicht wird, als Bezeichnung für die jeweilige Ausführung des Lackes. Gängige Viskositäten sind beispielsweise SU-8 2, SU-8 10 oder SU-8 100. Mittels eines Backvorgangs auf einer Heizplatte oder in einem geeigneten Ofen, dem sogenannten Soft- oder Prebake, wird bei einer typischen Temperatur von 95 °C der größte Teil des Lösungsmittels verdampft, wodurch sich der vorher flüssige Resist nach dem Abkühlen verfestigt. Ein Erwärmen des Lackes über die Glasübergangstemperatur von 55 °C führt zu einer Wiederverflüssigung der Schicht. Durch die Belichtung wird das Fotoinitiatorsalz in eine Säure umgewandelt. Während des anschließenden, sogenannten Post Exposure Bake (PEB) induziert die Säure eine Polymerisation, durch die sie regeneriert wird. Ein einzelnes Photon kann somit eine Reihe von Polymerisationen auslösen, was eine hohe Fotoempfindlichkeit des Lackes bedingt.he Fotoempfindlichkeit des Lackes bedingt.
, Le SU-8 est une résine photosensible négat … Le SU-8 est une résine photosensible négative couramment utilisée dans la fabrication de micro-systèmes. Il s'agit d'un polymère très visqueux qui peut être tourné ou étalé sur une épaisseur allant de 1 micromètre à 2 millimètres. Elle peut aussi être utilisée pour réaliser des motifs de structures à rapport d'aspect élevé (> 20) par photolithographie. Son pic d'absorption maximale se situe dans l'ultraviolet, pour une longueur d'onde de 365 nm. Lorsqu'elle est exposée, les longues chaînes moléculaires de la résine SU-8 réticulent ce qui solidifie le matériau. Le SU-8 est principalement utilisé dans la fabrication de composants microfluidiques ou de MEMS. Il s'agit également de l'un des matériaux les plus bio-compatibles , ce qui explique pourquoi il est souvent utilisé dans les bio-MEMS. il est souvent utilisé dans les bio-MEMS.
, SU-8 is een veelvuldig gebruikte negatieve … SU-8 is een veelvuldig gebruikte negatieve fotoresist op basis van epoxy. Het is een polymeer met een hoge viscositeit dat via spin coating op een substraat kan aangebracht worden in lagen met een dikte van tussen de 0,1 micrometer en 2 millimeter. De viscositeit kan gereguleerd worden via verdunners, zoals cyclopentanon. Verdere verwerking gebeurt meestal via standaardlithografie.SU-8 kan gebruikt worden om structuren met een grote hoogte-breedteverhouding (>20) te patroneren. De maximale absorptie van elektromagnetische straling ligt in het UV-gebied, bij een golflengte van 365 nanometer. Bij blootstelling aan dit UV-licht komt een inwendige crosslinking tussen de moleculen op gang, waardoor het materiaal uithardt. SU-8 werd oorspronkelijk ontwikkeld als fotoresist voor de micro-elektronica-industrie, om halfgeleiderstructuren te fabriceren. Nu wordt het echter vooral ingezet bij de vervaardiging van microfluïdica (voornamelijk via soft lithography maar ook met andere druktechnieken, zoals nanoimprint lithography) en onderdelen voor micro-elektromechanische systemen (MEMS). SU-8 is bovendien bijzonder populair in biomedische toepassingen vanwege zijn biocompatibiliteit. SU-8 is zeer transparant in het ultraviolette gebied, waardoor gemakkelijk relatief dikke structuren (van ettelijke honderden micrometers) met nagenoeg verticale wanden kunnen worden gerealiseerd. Na belichting en ontwikkeling (in het bijzonder met propyleenglycolmonomethyletheracetaat oftewel PGMEA) biedt de vernette molecuulstructuur een uitzonderlijk hoge stabiliteit tegen chemicaliën en straling. Na uitharding via een extra bakproces is er bij SU-8 vrijwel geen sprake van uitgassen in vacuüm. SU-8 is bijzonder moeilijk te verwijderen.SU-8 is bijzonder moeilijk te verwijderen.
, SU-8は、一般に使用されるエポキシ樹脂であるEPON SU-8をベースにしたネガテ … SU-8は、一般に使用されるエポキシ樹脂であるEPON SU-8をベースにしたネガティブフォトレジストである。0.1 μm から 2 mm までの厚みでスピンコートあるいは塗布できる、粘性の高い高分子で、標準的なコンタクトリソグラフィーのプロセスにも対応している。高アスペクト比 の構造を形成できることが特徴で、アスペクト比20以上の構造を形成することもできる。SU-8は、波長の365nmの紫外線を最も吸収する。SU-8を紫外線で露光し、さらに95℃程度の高温で加熱(ポストエクスポージャーベーク:PEB)すると、SU-8の鎖状高分子が架橋し、硬質のエポキシ樹脂となる。SU-8の現像（未架橋部分の溶解）には、主に、PGMEA(2-Methoxy-1-methylethyl acetate; CAS Number: 142300-82-1)が用いられる。SU-8は、通常のフォトレジストに比べて、剥離が非常に難しい（溶解させて剥離するのは困難だが、N-メチルピロリドンで、膨潤させて基板から剥がすことは可能である）。 SU-8は、もともとマイクロエレクトロニクス業界における、半導体デバイス製造のための高分解能のマスクを形成するためのフォトレジストとして開発された。現在では、主に、マイクロ流体デバイス（主にソフトリソグラフィが用いられるが、ナノインプリント・リソグラフィのような他のインプリント技術も使われる）や、MEMSの構成要素の製造に使用されている。また、生体適合性もあるため、Bio-MEMSの分野でも多く用いられている。 SU-8は紫外光領域で高い透過性を示すため、高さ数百μmでほぼ垂直の側壁をもつ構造の形成を可能にする。露光・PEB、そして現像を経たSU-8は、高度に架橋されているため、薬品や放射線に対する高い耐性を示す。また、架橋したSU-8は、真空中において非常に低いアウトガス性を示すが、露光されていない状態では、ガスを放出する傾向がある。非常に低いアウトガス性を示すが、露光されていない状態では、ガスを放出する傾向がある。
, SU-8 is a commonly used epoxy-based negati … SU-8 is a commonly used epoxy-based negative photoresist. Negative refers to a photoresist whereby the parts exposed to UV become cross-linked, while the remainder of the film remains soluble and can be washed away during development. As shown in the structural diagram, SU-8 derives its name from the presence of 8 epoxy groups. This is a statistical average per moiety. It is these epoxies that cross-link to give the final structure. It can be made into a viscous polymer that can be spun or spread over a thickness ranging from below 1 micrometer up to above 300 micrometers, or Thick Film Dry Sheets (TFDS) for lamination up to above 1 millimetre thick. Up to 500 µm the resist can be processed with standard contact lithography. Above 500 µm absorption leads to increasing sidewall undercuts and poor curing at the substrate interface. It can be used to pattern high aspect ratio structures. An aspect ratio of (> 20) has been achieved with the solution formulation and (> 40) has been demonstrated from the dry resist. Its maximum absorption is for ultraviolet light with a wavelength of the i-line: 365 nm (it is not practical to expose SU-8 with g-line ultraviolet light). When exposed, SU-8's long molecular chains cross-link causing the polymerisation of the material. SU-8 series photoresists use gamma-butyrolactone or cyclopentanone as the primary solvent. SU-8 was originally developed as a photoresist for the microelectronics industry, to provide a high-resolution mask for fabrication of semiconductor devices. It is now mainly used in the fabrication of microfluidics (mainly via soft lithography, but also with other imprinting techniques such as nanoimprint lithography) and microelectromechanical systems parts. SU-8 is proven to be a biocompatible material and is often used in fields of bioelectronics, bio-MEMS, lab-on-a-chip and μTAS for life science applications.ip and μTAS for life science applications.
, SU-8 är ett vanligt epoxy-baserat negativt … SU-8 är ett vanligt epoxy-baserat negativt fotoresist. Det är en väldigt viskös polymer som kan eller fördelas med en tjocklek från <1 mikrometer upp till >300 mikrometer och därefter processas med hjälp av normal mikrolitografi. Det kan användas för att mönstra mikrostrukturer med hög (>20). Dess maximala ljus-absorption sker vid ultravioletta våglängder kring 365 nm (det är inte praktiskt att exponera SU-8 med g-linje-ultraviolett ljus). Vid exponering så SU-8s långa molekylkedjor vilket leder till materialsolidifiering. Alla typer av SU-8 fotoresist använder vanligen gamma-butyrolakton som primärt lösningsmedel. SU-8 utvecklades ursprungligen som ett fotoresist för att förse mikroelektronik-industrin med högupplösningsmasker för produktion av halvledarkomponenter. I dag används det i huvudsak inom mikrofluidik (framför allt via , men också genom andra stämplingstekniker såsom ) och för delar av mikroelektromekaniska system. Materialet används ofta inom . SU-8 är i hög grad transparent för ultravioletta våglängder, vilket tillåter strukturering av relativt tjocka (hundratals mikrometer) strukturer med nästan vertikala sidoväggar. Efter exponering och framkallning, så ger materialets i hög grad korslänkade struktur hög kemisk stabilitet och robusthet mot . Härdat korslänkat SU-8 uppvisar en mycket låg mängd av under vakuumförhållanden. Materialet är dock mycket svårt att ta bort och tenderar att utgasa i sitt oexponerade tillstånd. Vanliga framkallningsmedel för SU-8 är och propylenglykolmonometyleteracetat (PGMEA) följt av sköljning i isopropanol (IPA).A) följt av sköljning i isopropanol (IPA).
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/SU-8_photoresist.png?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageExternalLink
|
http://www.djdevcorp.com +
, http://www.microchem.com +
, http://harnettlab.org/su8calc/ +
, http://djmicrolaminates.com/ +
, http://www.Gersteltec.ch +
, http://www.microchem.com/pdf/SU8_50-100.pdf +
, http://memscyclopedia.org/su8.html +
, http://www.gersteltec.ch/ +
, http://cleanroom.byu.edu/su8.phtml +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
3755801
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
14720
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1122179900
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Viscous +
, http://dbpedia.org/resource/Polymerization +
, http://dbpedia.org/resource/Moiety_%28chemistry%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Ultraviolet +
, http://dbpedia.org/resource/Radiation_damage +
, http://dbpedia.org/resource/Mercury-vapor_lamp +
, http://dbpedia.org/resource/Fracture +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Polymers +
, http://dbpedia.org/resource/Room_temperature +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Materials_science +
, http://dbpedia.org/resource/Wavelength +
, http://dbpedia.org/resource/Gamma_butyrolactone +
, http://dbpedia.org/resource/Micrometre +
, http://dbpedia.org/resource/Adhesion +
, http://dbpedia.org/resource/Vacuum +
, http://dbpedia.org/resource/Solvent +
, http://dbpedia.org/resource/Stress_%28mechanics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Epoxides +
, http://dbpedia.org/resource/Bio-MEMS +
, http://dbpedia.org/resource/Negative_resists +
, http://dbpedia.org/resource/Exposure_%28photography%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Organic_solvent +
, http://dbpedia.org/resource/File:SU-8_photoresist.png +
, http://dbpedia.org/resource/Monomer +
, http://dbpedia.org/resource/Spin_coating +
, http://dbpedia.org/resource/Aspect_ratio +
, http://dbpedia.org/resource/Spin_coated +
, http://dbpedia.org/resource/Photoresist +
, http://dbpedia.org/resource/Outgassing +
, http://dbpedia.org/resource/Microfluidics +
, http://dbpedia.org/resource/Contact_lithography +
, http://dbpedia.org/resource/Microelectromechanical_systems +
, http://dbpedia.org/resource/Lab-on-a-chip +
, http://dbpedia.org/resource/Novolac +
, http://dbpedia.org/resource/Hot_plate +
, http://dbpedia.org/resource/Polymer +
, http://dbpedia.org/resource/1-methoxy-2-propanol_acetate +
, http://dbpedia.org/resource/Cyclopentanone +
, http://dbpedia.org/resource/Soft_lithography +
, http://dbpedia.org/resource/Absorption_%28electromagnetic_radiation%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Lamination +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Polymer_chemistry +
, http://dbpedia.org/resource/Biocompatibility +
, http://dbpedia.org/resource/Temperature +
, http://dbpedia.org/resource/Bioelectronics +
, http://dbpedia.org/resource/Microelectronics +
, http://dbpedia.org/resource/Cross-link +
, http://dbpedia.org/resource/Epoxy +
, http://dbpedia.org/resource/Photon +
, http://dbpedia.org/resource/Nanoimprint_lithography +
, http://dbpedia.org/resource/Gamma-Butyrolactone +
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Short_description +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Redirect +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Polymer_chemistry +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Polymers +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Materials_science +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/SU-8_photoresist?oldid=1122179900&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/SU-8_photoresist.png +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/SU-8_photoresist +
|
| owl:sameAs |
http://nl.dbpedia.org/resource/SU-8 +
, https://global.dbpedia.org/id/RG9q +
, http://fr.dbpedia.org/resource/SU-8_%28polym%C3%A8re%29 +
, http://www.wikidata.org/entity/Q1413635 +
, http://yago-knowledge.org/resource/SU-8_photoresist +
, http://de.dbpedia.org/resource/SU-8_%28Fotolack%29 +
, http://ja.dbpedia.org/resource/SU-8 +
, http://sv.dbpedia.org/resource/SU-8_fotoresist +
, http://dbpedia.org/resource/SU-8_photoresist +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.09z8pg +
|
| rdf:type |
http://dbpedia.org/class/yago/Abstraction100002137 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatPolymers +
, http://dbpedia.org/class/yago/Matter100020827 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Material114580897 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Compound114818238 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Chemical114806838 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Substance100019613 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Polymer114994328 +
, http://dbpedia.org/class/yago/PhysicalEntity100001930 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Part113809207 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Relation100031921 +
|
| rdfs:comment |
SU-8 ist ein Fotolack der Firma Microchem … SU-8 ist ein Fotolack der Firma Microchem Corp. und gehört zu der Gruppe der Negativ-Fotolack. Wie die meisten Fotolacke besteht SU-8 aus den drei Bestandteilen Grundharz, Lösungsmittel und fotoempfindlicher Komponente. Zum Einsatz kommt SU-8 meist in der Mikrosystemtechnik bei Ultraviolett-LIGA-Verfahren.emtechnik bei Ultraviolett-LIGA-Verfahren.
, SU-8 är ett vanligt epoxy-baserat negativt … SU-8 är ett vanligt epoxy-baserat negativt fotoresist. Det är en väldigt viskös polymer som kan eller fördelas med en tjocklek från <1 mikrometer upp till >300 mikrometer och därefter processas med hjälp av normal mikrolitografi. Det kan användas för att mönstra mikrostrukturer med hög (>20). Dess maximala ljus-absorption sker vid ultravioletta våglängder kring 365 nm (det är inte praktiskt att exponera SU-8 med g-linje-ultraviolett ljus). Vid exponering så SU-8s långa molekylkedjor vilket leder till materialsolidifiering. Alla typer av SU-8 fotoresist använder vanligen gamma-butyrolakton som primärt lösningsmedel.ma-butyrolakton som primärt lösningsmedel.
, SU-8 is een veelvuldig gebruikte negatieve … SU-8 is een veelvuldig gebruikte negatieve fotoresist op basis van epoxy. Het is een polymeer met een hoge viscositeit dat via spin coating op een substraat kan aangebracht worden in lagen met een dikte van tussen de 0,1 micrometer en 2 millimeter. De viscositeit kan gereguleerd worden via verdunners, zoals cyclopentanon. Verdere verwerking gebeurt meestal via standaardlithografie.SU-8 kan gebruikt worden om structuren met een grote hoogte-breedteverhouding (>20) te patroneren. De maximale absorptie van elektromagnetische straling ligt in het UV-gebied, bij een golflengte van 365 nanometer. Bij blootstelling aan dit UV-licht komt een inwendige crosslinking tussen de moleculen op gang, waardoor het materiaal uithardt. op gang, waardoor het materiaal uithardt.
, Le SU-8 est une résine photosensible négat … Le SU-8 est une résine photosensible négative couramment utilisée dans la fabrication de micro-systèmes. Il s'agit d'un polymère très visqueux qui peut être tourné ou étalé sur une épaisseur allant de 1 micromètre à 2 millimètres. Elle peut aussi être utilisée pour réaliser des motifs de structures à rapport d'aspect élevé (> 20) par photolithographie. Son pic d'absorption maximale se situe dans l'ultraviolet, pour une longueur d'onde de 365 nm. Lorsqu'elle est exposée, les longues chaînes moléculaires de la résine SU-8 réticulent ce qui solidifie le matériau.8 réticulent ce qui solidifie le matériau.
, SU-8 is a commonly used epoxy-based negati … SU-8 is a commonly used epoxy-based negative photoresist. Negative refers to a photoresist whereby the parts exposed to UV become cross-linked, while the remainder of the film remains soluble and can be washed away during development. As shown in the structural diagram, SU-8 derives its name from the presence of 8 epoxy groups. This is a statistical average per moiety. It is these epoxies that cross-link to give the final structure. SU-8 was originally developed as a photoresist for the microelectronics industry, to provide a high-resolution mask for fabrication of semiconductor devices. for fabrication of semiconductor devices.
, SU-8は、一般に使用されるエポキシ樹脂であるEPON SU-8をベースにしたネガテ … SU-8は、一般に使用されるエポキシ樹脂であるEPON SU-8をベースにしたネガティブフォトレジストである。0.1 μm から 2 mm までの厚みでスピンコートあるいは塗布できる、粘性の高い高分子で、標準的なコンタクトリソグラフィーのプロセスにも対応している。高アスペクト比 の構造を形成できることが特徴で、アスペクト比20以上の構造を形成することもできる。SU-8は、波長の365nmの紫外線を最も吸収する。SU-8を紫外線で露光し、さらに95℃程度の高温で加熱(ポストエクスポージャーベーク:PEB)すると、SU-8の鎖状高分子が架橋し、硬質のエポキシ樹脂となる。SU-8の現像（未架橋部分の溶解）には、主に、PGMEA(2-Methoxy-1-methylethyl acetate; CAS Number: 142300-82-1)が用いられる。SU-8は、通常のフォトレジストに比べて、剥離が非常に難しい（溶解させて剥離するのは困難だが、N-メチルピロリドンで、膨潤させて基板から剥がすことは可能である）。るのは困難だが、N-メチルピロリドンで、膨潤させて基板から剥がすことは可能である）。
|
| rdfs:label |
SU-8 fotoresist
, SU-8 (Fotolack)
, SU-8 (polymère)
, SU-8
, SU-8 photoresist
|
