| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
El transistor de contacto fue el primer ti … El transistor de contacto fue el primer tipo de transistor que se demostró con éxito. Fue desarrollado por los científicos de investigación John Bardeen y Walter Brattain a laboratorios Bell en diciembre de 1947. Trabajaron en un grupo dirigido por el físico William Shockley. El grupo había estado trabajando conjuntamente en experimentos y teorías de efectos de campo eléctrico en materiales de estado sólido, con el objetivo de sustituir los tubos de vacío por un dispositivo más pequeño que consume menos energía .vo más pequeño que consume menos energía .
, Der Spitzentransistor galt als erster prak … Der Spitzentransistor galt als erster praktisch realisierter Bipolartransistor und wird als Wegbereiter der modernen Halbleitertechnik angesehen. Spätere Untersuchungen zeigten jedoch, dass es sich tatsächlich um einen Thyristor handelte. Die Grundlagen der modernen Halbleitertechnik waren zur Zeit seiner Entwicklung noch nicht erarbeitet und alle Arbeiten basierten zum größten Teil auf Versuch und Irrtum. Das Schaltsymbol des Bipolartransistors erinnert heute noch an den Aufbau des Spitzentransistors.noch an den Aufbau des Spitzentransistors.
, 点接触型トランジスタ（てんせっしょくがたトランジスタ、Point-contact transistor）は、最初期に製造されたトランジスタ。
, The point-contact transistor was the first … The point-contact transistor was the first type of transistor to be successfully demonstrated. It was developed by research scientists John Bardeen and Walter Brattain at Bell Laboratories in December 1947. They worked in a group led by physicist William Shockley. The group had been working together on experiments and theories of electric field effects in solid state materials, with the aim of replacing vacuum tubes with a smaller device that consumed less power. The critical experiment, carried out on December 16, 1947, consisted of a block of germanium, a semiconductor, with two very closely spaced gold contacts held against it by a spring. Brattain attached a small strip of gold foil over the point of a plastic triangle — a configuration which is essentially a point-contact diode. He then carefully sliced through the gold at the tip of the triangle. This produced two electrically isolated gold contacts very close to each other. The piece of germanium used had a surface layer with an excess of electrons. When an electric signal traveled in through the gold foil, it injected holes (points which lack electrons). This created a thin layer which had a scarcity of electrons. A small positive current applied to one of the two contacts had an influence on the current which flowed between the other contact and the base upon which the block of germanium was mounted. In fact, a small change in the first contact current caused a greater change in the second contact current; thus it was an amplifier. The low-current input terminal into the point-contact transistor is the emitter, while the output high current terminals are the base and collector. This differs from the later type of bipolar junction transistor invented in 1951 that operates as transistors still do, with the low current input terminal as the base and the two high current output terminals as the emitter and collector. The point-contact transistor was commercialized and sold by Western Electric and others but was eventually superseded by the bipolar junction transistor, which was easier to manufacture and more rugged. The point-contact transistor did still remain in production until circa 1966, by which time the silicon planar transistor was dominating the market.anar transistor was dominating the market.
, Tranzystor ostrzowy – pierwszy działający … Tranzystor ostrzowy – pierwszy działający typ tranzystora, skonstruowany 16 grudnia 1947 r. w laboratoriach firmy Bell Telephone Laboratories przez Johna Bardeena oraz Waltera Housera Brattaina. W następnym roku Bell wyprodukował pierwszą serię 3700 tranzystorów ostrzowych Type A, a Raytheon wprowadził do produkcji pierwszy typ komercyjny CK703. Tranzystory ostrzowe zostały bardzo szybko (w przeciągu paru lat) wyparte przez tranzystory złączowe (warstwowe), skonstruowane przez Williama Bradforda Shockleya z tego samego laboratorium. Mimo krótkiego czasu produkcji, tranzystory ostrzowe znalazły zastosowanie w aparatach słuchowych, radiowych, a nawet zbudowano na nich komputery (Uniwersytet w Manchesterze, 1953). Ostatnie tranzystory ostrzowe wycofano z produkcji prawdopodobnie jeszcze w latach 50 XX w. W Polsce poczynając od 1953 roku zbudowano trzy doświadczalne serie tranzystorów ostrzowych TP1, TP2 i TP3 (od „tranzystor punktowy”). Tranzystor TP1 został wykonany w liczbie około 250 sztuk, był bardzo nietrwały – jedynie 10% przetrwało okres 6 miesięcy. Tranzystorów TP2 i TP3 wykonano po około 150 sztuk. Nie weszły do produkcji seryjnej.0 sztuk. Nie weszły do produkcji seryjnej.
, El transistor de contacte va ser el primer … El transistor de contacte va ser el primer tipus de transistor que es va poder demostrar amb èxit. Va ser desenvolupat pels científics de recerca John Bardeen i Walter Brattain als laboratoris Bell el desembre de 1947. Van treballar en un grup dirigit pel físic William Shockley. El grup havia estat treballant conjuntament en experiments i teories d'efectes de camp elèctric en materials d'estat sòlid, amb l'objectiu de substituir els tubs de buit per un dispositiu més petit que consumís menys energia.itiu més petit que consumís menys energia.
, ترانزستور نقطة الاتصال (بالإنجليزية: Point … ترانزستور نقطة الاتصال (بالإنجليزية: Point-contact transistor)، كان ترانزستور نقطة الاتصال هو النوع الأول من الترانزستور الذي يتم عرضه بنجاح. تم تطويره من قبل علماء البحث جون باردين ووالتر براتين في مختبرات بيل في ديسمبر 1947. لقد عملوا في مجموعة بقيادة الفيزيائي ويليام شوكلي. كانت المجموعة تعمل معًا على تجارب ونظريات تأثيرات المجال الكهربائي في المواد ذات الحالة الصلبة، بهدف استبدال الأنابيب المفرغة بجهاز أصغر يستهلك طاقة أقل. تألفت التجربة الحاسمة، التي أجريت في 16 ديسمبر 1947، من كتلة من الجرمانيوم، وهو شبه موصل، مع اثنين من التلامسات الذهبية المتقاربة للغاية التي تم تثبيتها ضدها بواسطة زنبرك. أرفق براتين شريطًا صغيرًا من رقائق الذهب فوق نقطة مثلث بلاستيكي - وهو تكوين هو في الأساس صمام ثنائي نقطة التلامس. ثم قطع الذهب بعناية عند طرف المثلث. أنتج هذا ملامسين ذهبيين معزولين كهربائياً قريبين جدًا من بعضهما البعض. قطعة الجرمانيوم المستخدمة بها طبقة سطحية بها إلكترونات زائدة. عندما تنتقل إشارة كهربائية عبر الرقاقة الذهبية، فإنها تحقن ثقوبًا (نقاط تفتقر إلى الإلكترونات). أدى هذا إلى تكوين طبقة رقيقة بها ندرة في الإلكترونات. كان للتيار الموجب الصغير المطبق على أحد الاتصالين تأثير على التيار الذي يتدفق بين جهة الاتصال الأخرى والقاعدة التي تم تركيب كتلة الجرمانيوم عليها. في الواقع، تسبب تغيير طفيف في تيار الاتصال الأول في حدوث تغيير أكبر في تيار الاتصال الثاني؛ وبالتالي كان مكبر للصوت. جهة الاتصال الأولى هي «الباعث» والاتصال الثاني هو «المجمع». محطة إدخال التيار المنخفض في ترانزستور نقطة التلامس هي الباعث، في حين أن محطات التيار العالي الناتج هي القاعدة والمجمع. هذا يختلف عن النوع الأحدث من ترانزستور الوصلة ثنائي القطب الذي تم اختراعه في عام 1951 والذي يعمل كما لا تزال الترانزستورات تعمل، مع طرف إدخال التيار المنخفض كقاعدة ومحطتي خرج تيار عاليين هما الباعث والمجمع. تم تسويق وبيع ترانزستور نقطة الاتصال من قبل وآخرين، ولكن سرعان ما تم استبداله بواسطة ترانزستور الوصلات ثنائي القطب، والذي كان أسهل في التصنيع وأكثر قوة.لقطب، والذي كان أسهل في التصنيع وأكثر قوة.
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Point-contact_transistor.svg?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageExternalLink
|
http://www.wylie.org.uk/technology/semics/pointcon.htm +
, https://www.pbs.org/transistor/science/events/pointctrans.html +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
3512305
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
7190
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1090729140
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Electron_hole +
, http://dbpedia.org/resource/Capacitor +
, http://dbpedia.org/resource/Electric_field +
, http://dbpedia.org/resource/Solid-state_physics +
, http://dbpedia.org/resource/Electron +
, http://dbpedia.org/resource/Vacuum_tube +
, http://dbpedia.org/resource/William_Shockley +
, http://dbpedia.org/resource/Electric_current +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Computer-related_introductions_in_1947 +
, http://dbpedia.org/resource/Bipolar_junction_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Germanium_diode +
, http://dbpedia.org/resource/Surface_barrier_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Duodiode +
, http://dbpedia.org/resource/File:Fcspct.jpg +
, http://dbpedia.org/resource/File:Point-contact_transistor.svg +
, http://dbpedia.org/resource/Western_Electric +
, http://dbpedia.org/resource/Bell_Laboratories +
, http://dbpedia.org/resource/Transistron +
, http://dbpedia.org/resource/Crystal_radio +
, http://dbpedia.org/resource/Planar_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Bipolar_transistors +
, http://dbpedia.org/resource/Germanium +
, http://dbpedia.org/resource/John_Bardeen +
, http://dbpedia.org/resource/VHF +
, http://dbpedia.org/resource/Diode +
, http://dbpedia.org/resource/Digital_logic +
, http://dbpedia.org/resource/Negative_resistance +
, http://dbpedia.org/resource/Amplifier +
, http://dbpedia.org/resource/Walter_Houser_Brattain +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Transistor_types +
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Electronic_components +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Refimprove +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Short_description +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Cite_journal +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Transistor_types +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Bipolar_transistors +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Computer-related_introductions_in_1947 +
|
| http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
|
http://dbpedia.org/resource/Type +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Point-contact_transistor?oldid=1090729140&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Fcspct.jpg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Point-contact_transistor.svg +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Point-contact_transistor +
|
| owl:sameAs |
http://ar.dbpedia.org/resource/%D8%AA%D8%B1%D8%A7%D9%86%D8%B2%D8%B3%D8%AA%D9%88%D8%B1_%D8%A7%D9%84%D8%AA%D9%84%D8%A7%D9%85%D8%B3_%D8%A7%D9%84%D9%86%D9%82%D8%B7%D9%8A +
, http://www.wikidata.org/entity/Q1515631 +
, http://ro.dbpedia.org/resource/Diod%C4%83_cu_contact_punctiform +
, http://es.dbpedia.org/resource/Transistor_de_contacto +
, http://dbpedia.org/resource/Point-contact_transistor +
, http://pl.dbpedia.org/resource/Tranzystor_ostrzowy +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.09hlgq +
, http://tr.dbpedia.org/resource/Nokta_temasl%C4%B1_transist%C3%B6r +
, https://global.dbpedia.org/id/Wj4b +
, http://yago-knowledge.org/resource/Point-contact_transistor +
, http://fa.dbpedia.org/resource/%D8%AA%D8%B1%D8%A7%D9%86%D8%B2%DB%8C%D8%B3%D8%AA%D9%88%D8%B1_%D8%AA%D9%85%D8%A7%D8%B3_%D9%86%D9%82%D8%B7%D9%87%E2%80%8C%D8%A7%DB%8C +
, http://ca.dbpedia.org/resource/Transistor_de_contacte +
, http://de.dbpedia.org/resource/Spitzentransistor +
, http://ja.dbpedia.org/resource/%E7%82%B9%E6%8E%A5%E8%A7%A6%E5%9E%8B%E3%83%88%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%B8%E3%82%B9%E3%82%BF +
|
| rdf:type |
http://dbpedia.org/class/yago/PhysicalEntity100001930 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Tube104494204 +
, http://dbpedia.org/class/yago/ElectronicDevice103277771 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Device103183080 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Artifact100021939 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatTransistors +
, http://dbpedia.org/class/yago/Object100002684 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatDiodes +
, http://dbpedia.org/class/yago/Transistor104471632 +
, http://dbpedia.org/class/yago/SemiconductorDevice104171831 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Whole100003553 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Diode103202940 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Instrumentality103575240 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Conductor103088707 +
|
| rdfs:comment |
El transistor de contacte va ser el primer … El transistor de contacte va ser el primer tipus de transistor que es va poder demostrar amb èxit. Va ser desenvolupat pels científics de recerca John Bardeen i Walter Brattain als laboratoris Bell el desembre de 1947. Van treballar en un grup dirigit pel físic William Shockley. El grup havia estat treballant conjuntament en experiments i teories d'efectes de camp elèctric en materials d'estat sòlid, amb l'objectiu de substituir els tubs de buit per un dispositiu més petit que consumís menys energia.itiu més petit que consumís menys energia.
, The point-contact transistor was the first … The point-contact transistor was the first type of transistor to be successfully demonstrated. It was developed by research scientists John Bardeen and Walter Brattain at Bell Laboratories in December 1947. They worked in a group led by physicist William Shockley. The group had been working together on experiments and theories of electric field effects in solid state materials, with the aim of replacing vacuum tubes with a smaller device that consumed less power.a smaller device that consumed less power.
, El transistor de contacto fue el primer ti … El transistor de contacto fue el primer tipo de transistor que se demostró con éxito. Fue desarrollado por los científicos de investigación John Bardeen y Walter Brattain a laboratorios Bell en diciembre de 1947. Trabajaron en un grupo dirigido por el físico William Shockley. El grupo había estado trabajando conjuntamente en experimentos y teorías de efectos de campo eléctrico en materiales de estado sólido, con el objetivo de sustituir los tubos de vacío por un dispositivo más pequeño que consume menos energía .vo más pequeño que consume menos energía .
, Tranzystor ostrzowy – pierwszy działający … Tranzystor ostrzowy – pierwszy działający typ tranzystora, skonstruowany 16 grudnia 1947 r. w laboratoriach firmy Bell Telephone Laboratories przez Johna Bardeena oraz Waltera Housera Brattaina. W następnym roku Bell wyprodukował pierwszą serię 3700 tranzystorów ostrzowych Type A, a Raytheon wprowadził do produkcji pierwszy typ komercyjny CK703. Tranzystory ostrzowe zostały bardzo szybko (w przeciągu paru lat) wyparte przez tranzystory złączowe (warstwowe), skonstruowane przez Williama Bradforda Shockleya z tego samego laboratorium. Mimo krótkiego czasu produkcji, tranzystory ostrzowe znalazły zastosowanie w aparatach słuchowych, radiowych, a nawet zbudowano na nich komputery (Uniwersytet w Manchesterze, 1953). Ostatnie tranzystory ostrzowe wycofano z produkcji prawdopodobnie jeszcze w lato z produkcji prawdopodobnie jeszcze w lat
, ترانزستور نقطة الاتصال (بالإنجليزية: Point … ترانزستور نقطة الاتصال (بالإنجليزية: Point-contact transistor)، كان ترانزستور نقطة الاتصال هو النوع الأول من الترانزستور الذي يتم عرضه بنجاح. تم تطويره من قبل علماء البحث جون باردين ووالتر براتين في مختبرات بيل في ديسمبر 1947. لقد عملوا في مجموعة بقيادة الفيزيائي ويليام شوكلي. كانت المجموعة تعمل معًا على تجارب ونظريات تأثيرات المجال الكهربائي في المواد ذات الحالة الصلبة، بهدف استبدال الأنابيب المفرغة بجهاز أصغر يستهلك طاقة أقل. تم تسويق وبيع ترانزستور نقطة الاتصال من قبل وآخرين، ولكن سرعان ما تم استبداله بواسطة ترانزستور الوصلات ثنائي القطب، والذي كان أسهل في التصنيع وأكثر قوة.لقطب، والذي كان أسهل في التصنيع وأكثر قوة.
, Der Spitzentransistor galt als erster prak … Der Spitzentransistor galt als erster praktisch realisierter Bipolartransistor und wird als Wegbereiter der modernen Halbleitertechnik angesehen. Spätere Untersuchungen zeigten jedoch, dass es sich tatsächlich um einen Thyristor handelte. Die Grundlagen der modernen Halbleitertechnik waren zur Zeit seiner Entwicklung noch nicht erarbeitet und alle Arbeiten basierten zum größten Teil auf Versuch und Irrtum. Das Schaltsymbol des Bipolartransistors erinnert heute noch an den Aufbau des Spitzentransistors.noch an den Aufbau des Spitzentransistors.
, 点接触型トランジスタ（てんせっしょくがたトランジスタ、Point-contact transistor）は、最初期に製造されたトランジスタ。
|
| rdfs:label |
点接触型トランジスタ
, Transistor de contacto
, ترانزستور التلامس النقطي
, Point-contact transistor
, Transistor de contacte
, Tranzystor ostrzowy
, Spitzentransistor
|
